| 主权项 |
1.一种半导体的清洗方法,该清洗方法系适用于一快闪记忆体之一闸间介电层形成之后,该清洗方法包括:提供一半导体晶圆;于该半导体晶圆上形成一第一氧化矽层;于该第一氧化矽层上形成一浮置闸极层;于该浮置闸极层上形成一第二氧化矽层;蚀刻该第一氧化矽层、该浮置闸极层与该第二氧化矽层,以形成一闸极结构,其中该第二氧化矽层系作为该闸间介电层之用;使用一含有臭氧(Ozonated)之去离子水(De-Ionized,DI)清洗包含有该闸极结构之该半导体晶圆;更包括使用一第一清洗液清洗已经过该含有臭氧之去离子水清洗的该半导体晶圆;以及使用一第二清洗液清洗已经过该第一清洗液清洗的该半导体晶圆。2.如申请专利范围第1项所述之半导体的清洗方法,其中该半导体晶圆的材质包括矽。3.如申请专利范围第1项所述之半导体的清洗方法,其中该浮置闸极的材质包括多晶矽。4.如申请专利范围第1项所述之半导体的清洗方法,其中该浮置闸极的材质包括氮化矽。5.如申请专利范围第1项所述之半导体的清洗方法,其中该半导体晶圆上已形成有至少一元件。6.如申请专利范围第1项所述之半导体的清洗方法,其中在先前之至少一制程步骤中,该半导体晶圆上已堆积有多数种污染物。7.如申请专利范围第6项所述之半导体的清洗方法,其中该些污染物包括高分子。8.如申请专利范围第7项所述之半导体的清洗方法,其中该高分子包括光阻。9.如申请专利范围第1项所述之半导体的清洗方法,其中该第一清洗液包括一水(H2O)/过氧化氢(H2O2)/氨水(NH4OH)之混合液,且水、过氧化氢与氨水的混合比例系为4~80:1~5:1。10.如申请专利范围第1项所述之半导体的清洗方法,其中该第一清洗液包括一水(H2O)/过氧化氢(H2O2)/盐酸(HCl)之混合液,且水、过氧化氢与盐酸的混合比例系为4~80:1~5:1。11.如申请专利范围第1项所述之半导体的清洗方法,其中该第一清洗液包括依序使用一水/过氧化氢/氨水之混合液,以及一水/过氧化氢/盐酸之混合液,其中水、过氧化氢与氨水的混合比例系为4~80:1~5:1,且水、过氧化氢与盐酸的混合比例系为4~80:1~5:1。12.如申请专利范围第1项所述之半导体的清洗方法,其中该第一清洗液包括一氢氟酸(HF)/盐酸(HCl)之混合液,且氢氟酸、盐酸与水之混合比例系为1:1~5:50~500。13.如申请专利范围第1项所述之半导体的清洗方法,其中该含有臭氧之去离子水的臭氧浓度系介于10至80ppm。14.如申请专利范围第1项所述之半导体的清洗方法,其中该第二清洗溶液包括一含有臭氧之去离子水。15.如申请专利范围第14项所述之半导体的清洗方法,其中该含有臭氧之去离子水的臭氧浓度系介于10至80ppm。16.一种半导体的清洗方法,该清洗方法系适用于一快闪记忆体之一闸间介电层形成之后,该清洗方法包括:提供一半导体晶圆;于该半导体晶圆上形成一第一氧化矽层;于该第一氧化矽层上形成一浮置闸极层;于该浮置闸极层上形成一第二氧化矽层;于该第二氧化矽层上形成一氮化矽层;于该氮化矽层上形成一第三氧化矽层;蚀刻该第一氧化矽层、该浮置闸极层、该第二氧化矽层、该氮化矽层与该第三氧化矽层,以形成一闸极结构,其中该第二氧化矽层、该氮化矽层与该第三氧化矽层系作为该闸间介电层之用;使用一含有臭氧之去离子水清洗该半导体晶圆;使用一清洗液清洗该半导体晶圆;以及使用一含有臭氧之去离子水清洗该半导体晶圆。17.如申请专利范围第16项所述之半导体的清洗方法,其中该浮置闸极的材质包括多晶矽与氮化矽其中之一。18.如申请专利范围第16项所述之半导体的清洗方法,其中该清洗液包括一水/过氧化氢/氨水之混合液,且水、过氧化氢与氨水的混合比例系为4~80:1~5:1。19.如申请专利范围第16项所述之半导体的清洗方法,其中该清洗液包括一水/过氧化氢/盐酸之混合液,且水、过氧化氢与盐酸的混合比例系为4~80:1~5:1。20.如申请专利范围第16项所述之半导体的清洗方法,其中该清洗液包括依序使用一水/过氧化氢/氨水之混合液,以及一水/过氧化氢/盐酸之混合液,其中水、过氧化氢与氨水的混合比例系为4~80:1~5:1,且水、过氧化氢与盐酸的混合比例系为4~80:1~5:1。21.如申请专利范围第16项所述之半导体的清洗方法,其中该清洗液包括一氢氟酸/盐酸之混合液,且氢氟酸、盐酸与水之混合比例系为1:1~5:50~500。22.如申请专利范围第16项所述之半导体的清洗方法,其中该含有臭氧之去离子水的臭氧浓度系介于10至80ppm。图式简单说明:第1图是一个半导体元件之剖面示意图,且在制程过程中此半导体元件上系堆积有污染物。第2图是经过本发明之清洗方法清洗所得之半导体元件的剖面示意图。第3图是MOS结构之崩溃电荷(QBD)値的量测结果,且其系为在进行MOS结构的制程时使用本发明之清洗方法以及标准清洗方法SC1与SC2之比较结果。第4图是记忆体元件之闸极耦合率(Gate Coupling Ratios,GCR)的量测结果,且其系为在进行记忆体元件的制程时使用本发明之清洗方法以及标准清洗方法SC1与SC2之比较结果。 |
