发明名称 离子掺杂装置及离子掺杂装置用多孔电极
摘要 本发明之课题在于抑制在与基板之扫描方向正交方向的狭小范围之离子注入量之不均匀。关于本发明之离子掺杂装置设置成将由设有多数电极孔210的多孔电极200引出的离子束照射于扫描之基板300上;在由复数电极孔210所构成之电极孔群α、…方面,各电极孔210系在与基板300之扫描方向X正交的方向Y位置偏移地配置,以便电极孔群α、…对基板300之离子束注入量成为均匀。
申请公布号 TWI267890 申请公布日期 2006.12.01
申请号 TW092124869 申请日期 2003.09.08
申请人 夏普股份有限公司 发明人 山内哲也
分类号 H01J37/00(2006.01) 主分类号 H01J37/00(2006.01)
代理机构 代理人 陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项 1.一种离子掺杂装置,其特征为:设置成将由设有多数孔之电极引出之离子束照射于扫描之基板上;前述电极具有由复数电极孔所构成之电极孔群,且该电极孔群之各电极孔系在与基板之扫描方向正交之方向位置偏移地配置。2.如申请专利范围第1项之离子掺杂装置,其中前述多数电极孔依照各电极孔之射束之密度,而被区分为复数电极孔群。3.如申请专利范围第1或2项之离子掺杂装置,其中构成各电极孔群之电极孔系在基板之扫描方向成行配置,且此电极孔之行系设置成在基板之扫描方向具有斜度。4.一种离子掺杂装置,其特征为:设置成将由设有多数孔之电极引出之离子束照射于扫描之基板上;电极孔系在基板之扫描方向成行配置,且此电极孔之行系设置成在基板之扫描方向具有斜度。5.一种离子掺杂装置用多孔电极,其特征为:为了全体引出矩形离子束,设置有多个电极孔;前述电极具有由复数电极孔所构成之电极孔群,且该电极孔群之各电极孔系在前述矩形之一边之方向位置偏移地配置。6.如申请专利范围第5项之离子掺杂装置用多孔电极,其中前述多数电极孔依照其射束之密度,而被区分为复数电极孔群。7.如申请专利范围第5或6项之离子掺杂装置用多孔电极,其中构成前述电极孔群之电极孔系在前述矩形之他边之方向成行配置,且此电极孔之行系设置成对矩形之他边之方向具有斜度。8.一种离子掺杂装置用多孔电极,其特征为:为了全体引出矩形离子束,设置有多数电极孔;前述多数电极孔系设置成对矩形之一边之方向具有斜度。图式简单说明:图1系本发明之实施型态之离子掺杂装置全体结构之概略说明图。图2系本发明之第一实施型态之多孔电极排列之说明图。图3系本发明之第二实施型态之多孔电极排列之说明图。图4系用于确认各实施型态及先前例之多孔电极之离子注入量均一性之实验结果图。图5系先前例之多孔电极排列之说明图。
地址 日本