| 主权项 |
1.一种气体放电面板基材总成,包含:形成于一基材上之电极,一覆盖住该等电极之介电层,及一覆盖住该介电层且接触一放电空间之保护层,其中该保护层包含MgO及选自包括下列各物的群组之至少一化合物:Al化合物、Ti化合物、Y化合物、Zn化合物、Zr化合物、Ta化合物及SiC。2.如申请专利范围第1项之气体放电面板基材总成,其中该保护层包含一不透射具有200奈米或更小波长的光之层。3.如申请专利范围第1项之气体放电面板基材总成,其中选自包括下列各物的群组之该至少一化合物系为一种具有6.2电子伏特(eV)或更小能带间隙之化合物:Al化合物、Ti化合物、Y化合物、Zn化合物、Zr化合物、Ta化合物及SiC。4.如申请专利范围第1项之气体放电面板基材总成,其中该介电层包含一低融化玻璃或CVD-SiO2。5.一种气体放电面板基材总成,包含:形成于一基材上之电极,一覆盖住该等电极之介电层,一覆盖住该介电层之中间层,及一覆盖住该中间层且接触一放电空间之保护层,其中该保护层包含MgO且该中间层包括选自包括下列各物的群组之至少一化合物:Al化合物、Ti化合物、Y化合物、Zn化合物、Zr化合物、Ta化合物及SiC。6.如申请专利范围第5项之气体放电面板基材总成,其中选自包括下列各物的群组之该至少一化合物系为一种具有6.2电子伏特(eV)或更小能带间隙之化合物:Al化合物、Ti化合物、Y化合物、Zn化合物、Zr化合物、Ta化合物及SiC。7.如申请专利范围第5项之气体放电面板基材总成,其中该中间层包含一不透射具有200奈米或更小波长的光之层。8.如申请专利范围第5项之气体放电面板基材总成,其中该介电层包含一低融化玻璃或CVD-SiO2。9.一种用于一气体放电面板基材总成之制造方法,其中根据申请专利范围第1项所揭露之该介电层系由一CVD方法、一电浆CVD方法及一使一片状熔料玻璃黏附在一基材上然后烘烤之方法的其中一者所形成。10.一种用于一气体放电面板基材总成之制造方法,其中根据申请专利范围第5项所揭露之该介电层系由一CVD方法、一电浆CVD方法及一使一片状熔料玻璃黏附在一基材上然后烘烤之方法的其中一者所形成。11.一种用于一气体放电面板基材总成之制造方法,其中根据申请专利范围第5项所揭露之该中间层系由一真空蒸镀方法、一CVD方法、一电浆CVD方法及一溶胶-凝胶方法及一结合剂方法的其中一者所形成。12.一种用于一气体放电面板基材总成之制造方法,其中根据申请专利范围第5项所揭露之该中间层及该介电层系由一CVD方法或一电浆CVD方法连续地形成。13.一种用于一气体放电面板基材总成之制造方法,其中根据申请专利范围第5项所揭露之该中间层及该保护层系由一真空蒸镀方法连续地形成。14.一种AC型气体放电面板,其使用根据申请专利范围第1项所揭露之该气体放电面板基材总成作为前侧中之一气体放电面板基材总成。15.一种AC型气体放电面板,其使用根据申请专利范围第5项所揭露之该气体放电面板基材总成作为前侧中之一气体放电面板基材总成。图式简单说明:第1(a)至1(d)图显示从形成本发明的气体放电面板基材总成之处理步骤开始的示意剖视图;第2(a)至2(e)图显示从形成本发明的气体放电面板基材总成之处理步骤开始的示意剖视图;第3图为本发明的气体放电面板之示意剖视图;第4图为本发明的气体放电面板之示意剖视图;第5图为先前技术之一PDP的一结构之示意立体图;第6图为一放电面板处于放电状态之示意图。 |
