发明名称 发光二极体支架结构
摘要 一种发光二极体支架结构,该支架结构系用以安装发光晶粒及静电防护晶粒,包括有正负极的金属支架及一凸块,发光晶粒系固设于其中一金属支架上,而静电防护晶粒固设于另一金属支架上,凸块系设于发光晶粒及静电防护晶粒之间,且凸块高度系高于静电防护晶粒;藉此,利用凸块的高度遮蔽静电防护晶粒,能反射发光晶粒的发光,并增加发光晶粒的反射率,使发光二极体的亮度有效增加
申请公布号 TWM302123 申请公布日期 2006.12.01
申请号 TW095210311 申请日期 2006.06.13
申请人 凯鼎科技股份有限公司 发明人 陈盈佐;黄登辉
分类号 H01L33/00(2006.01) 主分类号 H01L33/00(2006.01)
代理机构 代理人 王云平 台北市大安区敦化南路2段71号18楼
主权项 1.一种发光二极体支架结构,该支架结构系用以安装发光晶粒及静电防护晶粒,包括:二不同电极的金属支架,该发光晶粒固设于其中一该金属支架上,该静电防护晶粒固设于另一该金属支架上;以及一凸块,设于该发光晶粒及该静电防护晶粒之间,该凸块高度系高于该静电防护晶粒。2.如申请专利范围第1项所述之发光二极体支架结构,其中该二金属支架系固设于一杯体内,该凸块突设于该杯体内。3.如申请专利范围第2项所述之发光二极体支架结构,其中该杯体内的发光晶粒及静电防护晶粒覆盖有一层透光性之封胶层。4.如申请专利范围第2项所述之发光二极体支架结构,其中该杯体及该凸块系为一高分子不导电性材料件。5.如申请专利范围第2项所述之发光二极体支架结构,其中该凸块高度与该杯体顶端平行,该二金属支架一端分别相互交错延伸贯穿该凸块形成一突出部,该二突出部各延伸出凸块二侧,在该二突出部、该发光晶粒及该静电防护晶粒上连接有导线。6.如申请专利范围第1项所述之发光二极体支架结构,其中该发光晶粒系以绝缘方式固设在其中一该金属支架上,该二金属支架及该发光晶粒上连接有导线。7.如申请专利范围第1项所述之发光二极体支架结构,其中该静电防护晶粒系以绝缘之方式固设在其中一该金属支架上,该静电防护晶粒及该二金属支架上连接有导线。8.如申请专利范围第1项所述之发光二极体支架结构,其中该静电防护晶粒系以焊固之方式固设在其中一该金属支架上,该静电防护晶粒及另一该金属支架上连接有导线。9.如申请专利范围第1项所述之发光二极体支架结构,其中该二金属支架一端分别相互交错延伸贯穿该凸块形成一突出部,该二突出部各延伸出凸块二侧,该二突出部、该发光晶粒及该静电防护晶粒上连接有导线。10.如申请专利范围第1项所述之发光二极体支架结构,其中该凸块系为比该静电防护晶粒反射率高之材料件。图式简单说明:第一图为习知发光二极体结构之剖视图。第二图为本创作发光二极体支架结构之剖视图。第三图为本创作发光二极体支架结构之保护电路图。第四图为本创作发光二极体支架结构之平面图。第五图为第四图之剖视图。
地址 新竹县湖口乡新竹工业区大同路7号