主权项 |
1.一种光纤滤波器,包括:至少一光纤,具有一光芯及一光壳,该光壳之一侧具有一消逝场(evanescent field)裸露面:以及至少一光学色散物质(dispersive material),位于该消逝场裸露面上;其中,藉由不同的该光学色散物质所具有之不同的光学色散特性,配合该光学色散物质之折射率的改变,使得传输于该光芯的光经由该消逝场裸露面时发生滤波。2.如申请专利范围第1项之光纤滤波器,其中该光纤滤波器为一带通滤波器(band-pass filter)。3.如申请专利范围第1项之光纤滤波器,其中该光纤滤波器为一带阻滤波器(band-rejection filter)。4.如申请专利范围第1项之光纤滤波器,其中该光纤滤波器为一短通滤波器(short-wavelength-pass filter)。5.如申请专利范围第1项之光纤滤波器,其中该光纤滤波器为一长通滤波器(long-wavelength-pass filter)。6.如申请专利范围第2项所述之光纤滤波器,其中该带通滤波器系由短通滤波器及长通滤波器所组成。7.如申请专利范围第1项之光纤滤波器,其中该消逝场裸露面为一机械侧磨面。8.如申请专利范围第1项之光纤滤波器,其中该消逝场裸露面为一雷射切削面。9.如申请专利范围第1项之光纤滤波器,其中该消逝场裸露面为加热拉伸该光纤所形成。10.如申请专利范围第9项所述之光纤滤波器,其中该光纤之加热源系为火焰、电热丝、电磁波或电弧放电的其中一种。11.如申请专利范围第1项之光纤滤波器,其中该光纤裸露面更埋置于一基板凹槽内。12.如申请专利范围第11项之光纤滤波器,其中该基板凹槽系为矽晶片凹槽或石英玻璃凹槽其中之一。13.如申请专利范围第1项之光纤滤波器,其中该光学色散物质相对于该消逝场裸露面的另一侧具有一发热元件及一温度感测元件。14.如申请专利范围第13项之光纤滤波器,其中该发热元件系为电热致冷器(TE cooler)、电热丝或超导电热片的其中一种。15.如申请专利范围第1项之光纤滤波器,其中该光学色散物质之折射率的改变系藉由施加温度或电场而达成。16.如申请专利范围第1项之光纤滤波器,其中该光学色散物质为高分子聚合物。17.如申请专利范围第1项之光纤滤波器,其中该光学色散物质系由不同之光学色散物质以层状结构交错排列而成。18.如申请专利范围第1项之光纤滤波器,其中该光学色散物质具有光学双折射特性。19.如申请专利范围第1项之光纤滤波器,其中该光学色散物质具有光子晶体能隙。20.如申请专利范围第1项之光纤滤波器,其中该光纤为微结构光纤(micro-structure fiber)。图式简单说明:第一图:光芯与光壳的折射率相对于光波长的改变而变化之曲线图(带通滤波器);第二图:光芯与光壳的折射率相对于光波长的改变而变化之曲线图(带阻滤波器);第三图:光芯与光壳的折射率相对于光波长的改变而变化之曲线图(短通滤波器);第四图:光芯与光壳的折射率相对于光波长的改变而变化之曲线图(长通滤波器);第五图:本案所述光纤滤波器第一实施例之侧视图;第六图:第五图之可调短通滤波器的光芯与光壳折射率关相对于光波长之曲线图;第七图:本案第二实施例之光纤与聚合物的折射率相对于光波长的改变而变化之曲线图;第八图:本案第三实施例之波长响应(wavelengthresponse)图(重掺杂硼之侧磨GF4A光纤);第九图:本案第四实施例之波长响应(wavelengthresponse)图(侧磨SMF-28光纤);以及第十图:本案第五实施例之波长响应(wavelengthresponse)图(经由热调整之侧磨SMF-28光纤)。 |