| 主权项 |
1.一种适用CMOS制程的电流感测电路,包括:一第一MOS电晶体,其上流过一输出电流;一第二MOS电晶体,用来镜射该输出电流以产生一镜射电流与该输出电流具有一第一比例关系;一以MOS电晶体为基础的电压镜,藉第一及第二节点连接该第一及第二MOS电晶体;以及一第三MOS电晶体,连接该第二节点及电压镜,用来产生一感测电流与该输出电流具有一第二比例关系。2.如申请专利范围第1项之电流感测电路,更包括一第四MOS电晶体连接在该第一MOS电晶体与第一节点之间。3.如申请专利范围第1项之电流感测电路,其中该第一及第二MOS电晶体具有一尺寸上的比例关系。4.如申请专利范围第1项之电流感测电路,其中该电压镜包括:一第四MOS电晶体,连接该第二节点;一第一电流源,与该第四MOS电晶体串联;一第五MOS电晶体,连接该第一节点;以及一第二电流源,与该第五MOS电晶体串联。5.如申请专利范围第4项之电流感测电路,其中该第三MOS电晶体的闸极连接该第四MOS电晶体的汲极。6.如申请专利范围第4项之电流感测电路,其中该第三MOS电晶体的闸极连接该第五电晶体的汲极。7.如申请专利范围第2项之电流感测电路,其中该电压镜包括:一第五MOS电晶体,连接该第二节点;一第一电流源,与该第五MOS电晶体串联;一第六MOS电晶体,连接该第一节点;以及一第二电流源,与该第六MOS电晶体串联。8.如申请专利范围第7项之电流感测电路,其中该第三MOS电晶体的闸极连接至该第五MOS电晶体的汲极。9.如申请专利范围第7项之电流感测电路,其中该第三MOS电晶体的闸极连接至该第六MOS电晶体的汲极。10.如申请专利范围第1项之电流感测电路,更包括一负载连接该第三MOS电晶体。11.如申请专利范围第10项之电流感测电路,其中该负载包括一电阻。12.如申请专利范围第11项之电流感测电路,其中该电阻包括由一第四MOS电晶体连接成一电阻器。13.如申请专利范围第4项之电流感测电路,其中该第一电流源包括受第一偏压的第六MOS电晶体,该第二电流源包括受第二偏压的第七MOS电晶体。14.如申请专利范围第7项之电流感测电路,其中该第一电流源包括受第一偏压的第七MOS电晶体,该第二电流源包括受第二偏压的第八MOS电晶体。15.如申请专利范围第1项之电流感测电路,更包括一开关在该第一MOS电晶体与第一节点之间。16.如申请专利范围第2项之电流感测电路,更包括一开关在该第一与第四MOS电晶体之间。17.如申请专利范围第1项之电流感测电路,其中该第一及第二MOS电晶体的闸极受一相同大小的偏压。18.如申请专利范围第17项之电流感测电路,更包括一开关在该第一MOS电晶体的闸极与偏压之间。19.如申请专利范围第2项之电流感测电路,其中该第一及第二MOS电晶体的闸极受一相同大小的偏压。20.如申请专利范围第19项之电流感测电路,更包括一开关在该第一MOS电晶体的闸极与偏压之间。图式简单说明:第一图系习知的电流感测电路;第二图系本发明的第一实施例;第三图系本发明的第二实施例;第四图系本发明的第三实施例;第五图系本发明的第四实施例;第六图系本发明的第五实施例;第七图显示以NMOS电晶体作为电阻的实施例;以及第八图显示以NMOS电晶体作为电流源的实施例。 |
