| 发明名称 |
矽电极组合蚀刻率及蚀刻均匀回复之方法 |
| 摘要 |
本发明揭示一种用于清洁可用于在清洁之后于一电浆蚀刻室中蚀刻一介电材料的一电极组合之方法，其包括抛光该电极组合之一矽表面，从而较佳从该矽表面移除黑色矽污染。 |
| 申请公布号 |
TW200641991 |
申请公布日期 |
2006.12.01 |
| 申请号 |
TW094146384 |
申请日期 |
2005.12.23 |
| 申请人 |
蓝姆研究公司 |
发明人 |
黄拓川;任大星;石洪;周春红;仲 洋;安瑞可 梅格尼;严必明;泽隆 胡贝史克;道J 琳;宋东永 |
| 分类号 |
H01L21/3065(2006.01);H01L21/304(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/3065(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
陈长文 |
| 主权项 |
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| 地址 |
美国 |
