反熔丝单次可编程的非挥发性记忆体单元及其制造方法与编程方法

摘要

一种反熔丝单次可编程(ONE–TIME–PROGRAMMABLE)非挥发性记忆体单元，包含具有两P–掺杂区之一P井基板、N＋掺杂区以及一反熔丝，其中N＋掺杂区位于基板上之两P–掺杂区之间，以作为一位元线。反熔丝(anti–fuse)配置于N＋掺杂区上。两绝缘区沉积于此两P–掺杂区上。一杂质掺杂多晶矽层配置于两绝缘区与反熔丝上。一多晶矽化金属层配置于杂质掺杂多晶矽层上，而多晶矽化金属层与多晶矽层可作为一字元线。在编程此反熔丝单次可编程非挥发性记忆体单元后，一已编程的区域(例如为一连结)可作为一二极体，其形成于反熔丝上。此外，本发明亦揭露反熔丝单次可编程非挥发性记忆体单元之编程方法、读取方法以及制造方法。