发明名称 动态调整记忆体晶片操作的方法与量测其ONO层厚度的装置METHOD OF DYNAMICALLY ADJUSTING OPERATION OF A MEMORY CHIP AND APPARATUS OF MEASURING THICKNESS OF AN ONO LAYER OF THE MEMORY CHIP
摘要 一种动态调整记忆体晶片操作的方法,是先提供一记忆体晶片,其中记忆体晶片包括一ONO层。然后,量测记忆体晶片的ONO层之厚度,再依据ONO层之厚度,调整记忆体晶片的读取电压。由于动态调整记忆体晶片操作,故可获得较可靠的产品操作以及较为充裕的大量生产空间。
申请公布号 TW200641895 申请公布日期 2006.12.01
申请号 TW094117394 申请日期 2005.05.27
申请人 旺宏电子股份有限公司 发明人 刘承杰;熊黛良
分类号 G11C16/02(2006.01);G11C29/12(2006.01) 主分类号 G11C16/02(2006.01)
代理机构 代理人 詹铭文;萧锡清
主权项
地址 新竹市新竹科学工业园区力行路16号