发明名称 | 动态调整记忆体晶片操作的方法与量测其ONO层厚度的装置METHOD OF DYNAMICALLY ADJUSTING OPERATION OF A MEMORY CHIP AND APPARATUS OF MEASURING THICKNESS OF AN ONO LAYER OF THE MEMORY CHIP | ||
摘要 | 一种动态调整记忆体晶片操作的方法,是先提供一记忆体晶片,其中记忆体晶片包括一ONO层。然后,量测记忆体晶片的ONO层之厚度,再依据ONO层之厚度,调整记忆体晶片的读取电压。由于动态调整记忆体晶片操作,故可获得较可靠的产品操作以及较为充裕的大量生产空间。 | ||
申请公布号 | TW200641895 | 申请公布日期 | 2006.12.01 |
申请号 | TW094117394 | 申请日期 | 2005.05.27 |
申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 刘承杰;熊黛良 |
分类号 | G11C16/02(2006.01);G11C29/12(2006.01) | 主分类号 | G11C16/02(2006.01) |
代理机构 | 代理人 | 詹铭文;萧锡清 | |
主权项 | |||
地址 | 新竹市新竹科学工业园区力行路16号 |