发明名称 半导体记忆体装置之输入/出电路及其输入/出方法
摘要 本发明提供一种用于一半导体记忆体装置之输入/出电路,其包括:一资料输出电路,其经组态以回应于一输入/出赋能讯号而缓冲该半导体记忆体装置中之输出资料,以便将经缓冲之输出资料输出至一输入/出讯号线;一资料输入电路,其经组态以接收来自该输入/出讯号线之输入资料并缓冲该输入资料,以便将经缓冲之输入资料传送至半导体记忆体装置;及一负载控制器,其经组态以回应于该输入/出赋能讯号而控制该输入/出讯号线上之负载。
申请公布号 TW200641905 申请公布日期 2006.12.01
申请号 TW095102259 申请日期 2006.01.20
申请人 三星电子股份有限公司 发明人 崔锺贤;徐宁焄
分类号 G11C7/10(2006.01);H03K19/0175(2006.01) 主分类号 G11C7/10(2006.01)
代理机构 代理人 陈长文;林嘉兴
主权项
地址 韩国