可操作于连续短脉冲群模式中之伪静态,随机存取记忆体及控制其短脉冲群模式操作之方法

摘要

本发明系关于可操作于一连续短脉冲群模式中之一伪SRAM(静态随机存取记忆体)及控制其短脉冲群模式操作之方法。依据根据本发明之可操作于一连续短胍冲群模式中之一伪SRAM及控制其短脉冲群模式操作之方法，基于接收一次之一存取命令及外部位址讯号而连续产生逐渐上升之短脉冲群列及短脉冲群行位址讯号。因此，可在一连续之短脉冲群模式下执行资料之读取或写入操作。