发明名称 | 具有微小构造体之半导体装置及微小构造体之制造方法 | ||
摘要 | 本发明系提供一种具有微小构造体之半导体装置及微小构造体之制造方法,其系抑制晶圆状态之特性依组装程序变化者。具体而言,对于复数微小构造体之晶片(CP)形成之晶圆(100),使用接合层(15)与仿真晶圆(10)贴合。之后,MEMS装置系藉由以切断后之仿真晶圆(10)作为晶片(CP)之基座,使与壳体构件(110)接合,使用壳体构件(110),并以仿真晶圆(10)吸收来自壳体之际下方之应力等。 | ||
申请公布号 | TW200642090 | 申请公布日期 | 2006.12.01 |
申请号 | TW095101615 | 申请日期 | 2006.01.16 |
申请人 | 东京威力科创股份有限公司 | 发明人 | 池内直树;桥本浩幸 |
分类号 | H01L29/84(2006.01);G01L9/00(2006.01);G01L27/00(2006.01);G01P15/08(2006.01);G01P9/04(2006.01) | 主分类号 | H01L29/84(2006.01) |
代理机构 | 代理人 | 陈长文 | |
主权项 | |||
地址 | 日本 |