空气隧道浮动闸极记忆体细胞及其制造方法

摘要

一种空气隧道浮动闸极记忆体细胞，包含一空气隧道定义于一基材上，一第一多晶矽层(浮动闸极)定义在空气隧道上，一氧化层沉积在第一多晶矽层上，使得氧化层覆盖第一多晶矽层，且定义空气隧道的侧壁，一第二多晶矽层，作为一字元线，定义在氧化层上。本发明也揭露一种制造一空气隧道浮动闸极记忆体细胞的方法，形成一牺牲层于一基材上，形成一第一多晶矽层于牺牲层上，一氧化层沉积在第一多晶矽层上，使得氧化层覆盖第一多晶矽层，且定义牺牲层的侧壁，使用热磷酸(H3PO4)浸泡以蚀刻牺牲层，形成一空气隧道。