发明名称 具有最佳热膨胀系数之积体薄膜电容
摘要 一种方法,包含:沈积一胶体悬浮液于一基材上,该胶体包含一数量的陶瓷材料之奈米微粒;及热处理该悬浮液,以形成一薄膜。一种方法,包含:沈积多数陶瓷材料的奈米微粒至基材整个表面上之预定位置;及热处理该多数奈米微粒,以形成一薄膜。一种系统,包含:一含有微处理机的计算装置,该微处理机经由一基材耦接至一印刷电路板,该基材包含至少一电容结构,形成在一表面上,该电容结构包含一第一电极、一第二电极及一陶瓷材料,安置于该第一电极与该第二电极之间,其中该陶瓷材料包含柱状晶粒。
申请公布号 TW200641934 申请公布日期 2006.12.01
申请号 TW095111613 申请日期 2006.03.31
申请人 英特尔股份有限公司 发明人 圣吉斯 巴兰杜斯;达斯汀 伍德
分类号 H01G2/06(2006.01);H01G2/10(2006.01);H01G4/33(2006.01) 主分类号 H01G2/06(2006.01)
代理机构 代理人 林志刚
主权项
地址 美国