制造快闪记忆体装置之方法

摘要

本发明揭示一种制造快闪记忆体装置之方法，其包括在一半导体基板上方沈积一氮化物膜及使用涉及一退火制程之一氧化制程而在该氯化物膜下方形成一氧化物膜。形成具有一薄厚度与一良好膜品质之一隧道氧化物膜或一ONO2氧化物膜且改善记忆体单元之操作性能。