| 主权项 |
1.一种非挥发性记忆胞,包括: 一第一源极/汲极区,配置于一基底之一沟渠顶部 侧边; 一第二源极/汲极区,配置于该沟渠底部之该基底 中; 一闸极层,配置于该沟渠中与该基底上;以及 一电荷捕捉层,配置于该闸极层与该基底之间,且 该电荷捕捉层之其中一侧内已储存多数个辅助电 荷(assisted charge)。 2.如申请专利范围第1项所述之非挥发性记忆胞,其 中该电荷捕捉层包括一复合介电层。 3.如申请专利范围第2项所述之非挥发性记忆胞,其 中该复合介电层包括一第一介电层-第二介电层- 第三介电层。 4.如申请专利范围第1项所述之非挥发性记忆胞,其 中该第一介电层-第二介电层-第三介电层包括由 底氧化矽层-氮化矽层-顶氧化矽层所构成。 5.如申请专利范围第1项所述之非挥发性记忆胞,其 中该闸极层的材质包括掺杂多晶矽。 6.一种非挥发性记忆胞的操作方法,适用于操作一 非挥发性记忆胞,该非挥发性记忆胞包括有一第一 源极/汲极区配置于一基底之一沟渠顶部侧边;一 第二源极/汲极区配置于该沟渠底部之该基底中; 一闸极层配置于该沟渠中与该基底上;一电荷捕捉 层配置于该闸极层与该基底之间,且该电荷捕捉层 之其中一侧内已储存多数个辅助电荷,该操作方法 包括: 在进行程式化操作时,将电子注入该电荷捕捉层之 另一侧中,以程式化该非挥发性记忆胞; 在进行抹除操作时,将电洞注入该电荷捕捉层之另 一侧中,以抹除该非挥发性记忆胞;以及 在进行读取操作时,对该闸极层施加一第一电压, 对靠近该些辅助电荷侧的该源极/汲极区施加一第 二电压,以读取该非挥发性记忆胞。 7.如申请专利范围第6项所述之非挥发性记忆胞的 操作方法,其中该些辅助电荷为储存于靠近该第二 源极/汲极区侧之该电荷捕捉层中。 8.如申请专利范围第7项所述之非挥发性记忆胞的 操作方法,其中该第一电压为正电压,该第二电压 为正电压。 9.如申请专利范围第7项所述之非挥发性记忆胞的 操作方法,其中在进行程式化操作时,更包括对该 闸极层施加一第三电压,对该第一源极/汲极区施 加一第四电压,以将电子注入该电荷捕捉层之另一 侧中,以程式化该非挥发性记忆胞。 10.如申请专利范围第9项所述之非挥发性记忆胞的 操作方法,其中该第三电压为正电压,该第四电压 为正电压。 11.如申请专利范围第7项所述之非挥发性记忆胞的 操作方法,其中在进行抹除操作时,更包括对该闸 极层施加一第五电压,对该第一源极/汲极区施加 一第六电压,将电洞注入该电荷捕捉层之另一侧中 ,以抹除该非挥发性记忆胞。 12.如申请专利范围第11项所述之非挥发性记忆胞 的操作方法,其中该第五电压为负电压,该第六电 压为正电压。 图式简单说明: 图1为依照本发明实施例所绘示之非挥发性记忆胞 的剖面示意图。 图2为依照本发明实施例所绘示之非挥发记忆胞的 程式化操作模式示意图。 图3为依照本发明实施例所绘示之非挥发记忆胞的 抹除操作模式示意图。 图4为依照本发明实施例所绘示之非挥发记忆胞的 读取操作模式示意图。 |
