| 主权项 |
1.一种金属氧化物半导体场效应电晶体(MOSFET)和肖 特基二极体结合的瘦小外形封装,其包含金属氧化 物半导体场效应电晶体(MOSFET)S极,金属氧化物半导 体场效应电晶体(MOSFET)G极,金属氧化物半导体场效 应电晶体(MOSFET)D极,肖特基二极体的K极和A极,特征 在于,该金属氧化物半导体场效应电晶体(MOSFET)的D 极与该肖特基二极体的A极位于同一侧。 2.如申请专利范围第1项所述的金属氧化物半导体 场效应电晶体(MOSFET)和肖特基二极体结合的瘦小 外形封装,其特征在于,还包含一引线框架, 该引线框架包含第一引线(1)为该肖特基二极体的K 极,与该肖特基二极体的第二载片台(12)相连; 第四引线(4)为该金属氧化物半导体场效应电晶体( MOSFET)的D极,其和该金属氧化物半导体场效应电晶 体(MOSFET)的第一载片台(11)相连; 该金属氧化物半导体场效应电晶体(MOSFET)的D极与 该肖特基二极体的A极置于该封装引线伸出端的同 一侧。 3.如申请专利范围第2项所述的金属氧化物半导体 场效应电晶体(MOSFET)和肖特基二极体结合的瘦小 外形封装,其特征在于,该引线框架还包含一第五 引线,该第五引线(5)和该金属氧化物半导体场效应 电晶体(MOSFET)的该第一载片台(11)相连。 4.如申请专利范围第2或3项所述的金属氧化物半导 体场效应电晶体(MOSFET)和肖特基二极体结合的瘦 小外形封装,其特征在于,该引线框架还包含一第 六引线,该第六引线(6)为该金属氧化物半导体场效 应电晶体(MOSFET)的D极,和该金属氧化物半导体场效 应电晶体(MOSFET)的该第一载片台(11)内部相连。 5.如申请专利范围第4项所述的金属氧化物半导体 场效应电晶体(MOSFET)和肖特基二极体结合的瘦小 外形封装,其特征在于,所述的第四、五和六引线 最少有二者在该封装器件内部或外部相连。 6.如申请专利范围第2项所述的金属氧化物半导体 场效应电晶体(MOSFET)和肖特基二极体结合的瘦小 外形封装,其特征在于,还包含第二引线,该第二引 线(2)的打线区域为L形。 7.如申请专利范围第4项所述的金属氧化物半导体 场效应电晶体(MOSFET)和肖特基二极体结合的瘦小 外形封装,其特征在于,所述的第六引线(6)呈T形结 构。 8.如申请专利范围第4项所述的金属氧化物半导体 场效应电晶体(MOSFET)和肖特基二极体结合的瘦小 外形封装,其特征在于,所述的第六引线(6)的打线 区域加长。 9.如申请专利范围第6项所述的金属氧化物半导体 场效应电晶体(MOSFET)和肖特基二极体结合的瘦小 外形封装,其特征在于,所述的第二引线(2)为该金 属氧化物半导体场效应电晶体(MOSFET)的S极,或是该 金属氧化物半导体场效应电晶体(MOSFET)的G极。 10.如申请专利范围第3项所述的金属氧化物半导体 场效应电晶体(MOSFET)和肖特基二极体结合的瘦小 外形封装,其特征在于,该第五引线可以省略。 图式简单说明: 第1图为背景技术内部的具体应用的电路示意图; 第2图为背景技术瘦小外形封装引线框架的结构示 意图; 第3图为背景技术瘦小外形封装引线具体应用的示 意图; 第4图为本发明6脚瘦小外形封装引线框架的结构 示意图; 第5图为本发明6脚瘦小外形封装引线具体应用的 示意图; 第6图为本发明内部的具体应用的电路示意图。 |
