| 主权项 |
1.一种金属-绝缘体-金属(MIM)电容器,包括: 一下电极; 一上电极,位于该下电极上;以及 一电容介电层,位于该上电极与该下电极之间,其 中该电容介电层包括: 多数层TiO2层;以及 至少一正方(tetragonal)结构材料层,位于该些TiO2层 之间,且每一正方结构材料层具有相同厚度。 2.如申请专利范围第1项所述之金属-绝缘体-金属 电容器,其中该正方结构材料层的材料包括能带隙 (band gap)比TiO2高的材料。 3.如申请专利范围第2项所述之金属-绝缘体-金属 电容器,其中该正方结构材料层的材料包括ZrO2、 PbO2、SnO2、BaO2或SrO2。 4.如申请专利范围第1项所述之金属-绝缘体-金属 电容器,其中每一正方结构材料层的厚度在0.5埃- 200埃之间。 5.如申请专利范围第1项所述之金属-绝缘体-金属 电容器,其中该正方结构材料层的层数由1-300层。 6.一种金属-绝缘体-金属(MIM)电容器,包括: 一下电极; 一上电极,位于该下电极上;以及 一电容介电层,位于该上电极与该下电极之间,其 中该电容介电层包括互相交叠的多数层正方( tetragonal)结构材料层以及多数层TiO2层,且该些正方 结构材料层的厚度自该电容介电层的中间层分别 向该上电极与该下电极逐渐增加。 7.如申请专利范围第6项所述之金属-绝缘体-金属 电容器,其中该正方结构材料层的材料包括能带隙 比TiO2高的材料。 8.如申请专利范围第7项所述之金属-绝缘体-金属 电容器,其中该正方结构材料层的材料包括ZrO2、 PbO2、SnO2、BaO2或SrO2。 9.如申请专利范围第6项所述之金属-绝缘体-金属 电容器,其中每一正方结构材料层的厚度从0.5埃到 200埃。 10.如申请专利范围第6项所述之金属-绝缘体-金属 电容器,其中该正方结构材料层的层数由3-300层。 图式简单说明: 图1为依照本发明之一较佳实施例的金属-绝缘体- 金属(MIM)电容器之剖面图。 图2为依照本发明之另一较佳实施例的金属-绝缘 体-金属电容器之剖面图。 |
