| 主权项 |
1.一种磊晶矽晶圆之制造方法,上述磊晶矽晶圆具 有基板以及形成于该基板上之磊晶层,该基板系切 割自以捷可拉斯基(Czochralski)法制造并掺杂氮之单 晶矽, 其特征在于包括: 氟酸洗净步骤,使用含氟酸之溶液洗净上述基板; 氧化膜形成步骤,于基板表面形成氧化膜,使得未 露出于上述基板表面之基板内缺陷不会露出基板 表面;及 磊晶层形成步骤,将形成有上述氧化膜之基板热处 理后,于上述基板上形成磊晶层。 2.如申请专利范围第1项所述之磊晶矽晶圆之制造 方法,其中上述氧化膜形成步骤中以含有过氧化氢 之溶液或臭氧水溶液洗净基板表面后,于基板表面 形成氧化膜。 3.如申请专利范围第1或2项所述之磊晶矽晶圆之制 造方法,其中上述氟酸洗净步骤中,使用回转式洗 净装置进行基板洗净; 上述回转式洗净装置包括: 滴下装置,于上述基板之一侧之表面滴下包括氟酸 之液体; 支持装置,支持上述基板另一侧之表面; 回转装置,以通过被支持装置支持之上述基板之表 面之轴作为回转中心轴,以旋转上述基板; 藉由上述回转装置,以10转/分以下之回转数回转基 板,同时自上述滴下装置滴下包括氟酸之溶液以洗 净晶板。 图式简单说明: 第1图系显示本发明实施例中磊晶矽晶圆之制造步 骤之流程图; 第2(A)图至第2(F)图系显示本发明之磊晶矽晶圆之 各制造步骤之示意图; 第3图系显示本发明之磊晶矽晶圆之制造方法所使 用之洗净装置之示意图; 第4(A)图至第4(D)图系显示习知之磊晶矽晶圆之制 造步骤之示意图;及 第5(A)图至第5(F)图系显示习知之磊晶矽晶圆之制 造步骤之示意图。 |
