发明名称 中间基板
摘要 本发明的技术课题是提供一种中间基板,对于中间基板上之全部端子,可将与半导体积体电路元件侧的线膨胀系数差充分地缩小,进而不易产生热应力造成的断线等。本发明之用以解决这种技术课题的手段是:中间基板200具有基板核心100,包含:核心本体部100m,藉由高分子材料所构成为板状,在第一主表面以减少本身厚度的形状下开口形成有副核心收容部100h及陶瓷副核心部1,藉由陶瓷所构成为板状,在副核心收容部100h内与核心本体部100m在使厚度方向一致的形状下由所收容。在该基板核心100之第一主表面侧形成第一端子阵列5,是由一方作为电源端子,另一方作为接地端子发挥功能的第一侧第一种端子5a以及第一侧第二种端子5b,及由第一侧信号端子5s所形成。第一端子阵列5在对与基板核心100之板面平行的基准面之正射投影中,形成在陶瓷副核心部1的投影区域内包含全体之位置关系而形成。
申请公布号 TWI267880 申请公布日期 2006.12.01
申请号 TW093139945 申请日期 2004.12.22
申请人 特殊陶业股份有限公司 发明人 神户六郎;柏木哲哉;木村幸广;杉本康宏;铃木一广
分类号 H01G4/12(2006.01);H01G4/30(2006.01) 主分类号 H01G4/12(2006.01)
代理机构 代理人 何金涂 台北市大安区敦化南路2段77号8楼;何秋远 台北市大安区敦化南路2段77号8楼
主权项 1.一种中间基板,其包括: 一基板核心,具有第一及第二主表面侧,其包括:由 一聚合物材料制成的板状核心本体部及包含在其 内所形成的一副核心收容部以减少相对于第一平 面主表面的全体厚度,及一板状副核心部,由线膨 胀系数较核心本体部者小的材料所制成,该副核心 部被收容于该副核心收容部内及具有与该核心本 体部的全体厚度相配合之厚度; 一第一端子阵列,包括:形成在该基板核心之第一 主表面侧之一第一侧第一种端子及一第一侧第二 种端子,当做一电源端子及一接地端子;一第一侧 信号端子;及 一第二端子阵列,包含:形成在该基板核心之第二 主表面侧之一第二侧第一种端子及一第二侧第二 种端子,分别导电地连接至该第一侧第一种端子及 该第一侧第二种端子;及一第二侧信号端子,可导 电地连接至该第一侧信号端子, 该第一端子阵列以与该副核心部之一投影区域重 叠的位置关系而设置,该投影区域以几何垂直投影 于平行于基板核心的平面主表面的一参考平面上 。 2.一种中间基板,其包括: 一基板核心,具有第一及第二主表面侧,其包括:由 一聚合物材料制成的板状核心本体部,及包括在其 内所形成的一副核心收容部以减少相对于第一平 面主表面的厚度,及板状副核心部,由线膨胀系数 较在一板形成的核心本体部小的材料所制成,该副 核心部被收容于该副核心收容部内及具有与该核 心本体部的全体厚度相配合的厚度; 一第一端子阵列,包括:形成在该基板核心之第一 主表面侧之一第一侧第一种端子及一第一侧第二 种端子,分别当做一电源端子及一接地端子;及一 第一侧信号端子;及 一第二端子阵列,包括:形成在该基板核心之第二 主表面侧之第二侧第一种端子及一第二侧第二种 端子,分别导电地连接至该第一侧第一种端子及该 第一侧第二种端子;及一第二侧信号端子,可导电 地连接至该第一侧信号端子; 该第一端子阵列以一完全包含在该副核心部之一 投影区域的位置关系而设置,该投影区域以几何垂 直投影于平行该基板核心的平面主表面的一参考 平面上。 3.如申请专利范围第1项之中间基板,其中该基板核 心由层叠的第一配线部所覆盖,该第一配线部包括 交替层叠在一起的至少一以高分子材料制成的电 介体层及至少一导体层,该导体层包括一表面导体 当做一配线连接器、接地或电源之功能,该第一配 线部设置在陶瓷副核心部的第一主表面上,及该第 一端子阵列在该第一配线部的第一主表面上露出 而形成。 4.如申请专利范围第3项之中间基板,其中又包括一 第一种副核心导体,对应于该第一端子阵列的第一 侧第一种端子及第一侧第二种端子,分别可导电地 连接至第二端子阵列的第二侧第一种端子及第二 侧第二种端子,及横过该副核心部而延伸,该第一 种副核心导体及第二种副核心导体经由一穿通该 第一配线部的至少一电介体层的穿孔导体,分别导 电地连接至该第一侧第一种端子及第一侧第二种 端子。 5.如申请专利范围第3项之中间基板,其中又包括第 一侧第一种面导体及一第一侧第二种面导体,分别 可导电地连接至该第一端子阵列的该第一侧第一 种端子及第一侧第二种端子,及在该第一配线部内 ,设置在核心本体部及陶瓷副核心部的该第一主表 面上,及 该第一侧第一种面导体及该第一侧第二种面导体 各由该副核心部延伸出,及分别可导电地连接至一 第一种贯穿孔导体及一第二种贯穿孔导体,各贯穿 孔导体横向穿通该核心本体部。 6.如申请专利范围第3项之中间基板,其中在该第一 端子阵列,该第一侧第一种端子及第一侧第二种端 子设置在一阵列区域内侧,及该第一侧信号端子设 置于一阵列区域外侧,及 该第一配线部包括:一第一侧信号配线连接用于提 供一信号传送路径至该副核心部外侧的一区域及 可导电地连接至该第一侧信号端子;及该第一侧信 号配线的一端子末端由该副核心部延伸出,及可导 电地连接至横向延伸于该核心本体部的一信号贯 穿孔导体。 7.如申请专利范围第1项之中间基板,其中构成该第 一端子阵列的该第一侧第一种端子及第一侧第二 种端子在该副核心部的该第一主表面上露出及形 成,及一第一种副核心导体及第二种副核心导体对 应于该第一端子阵列的第一侧第一种端子及第一 侧第二种端子,可导电地连接至该第二端子阵列的 第二侧第一种端子及第二侧第二种端子,并且横过 该副核心部而延伸。 8.如申请专利范围第7项之中间基板,其中构成该第 一端子阵列的该等第一侧信号端子在该副核心部 的第一主表面上露出而形成,及多个信号副核心导 体对应于该等第一侧信号端子及可导电地连接至 该第二端子阵列的多个第二侧信号端子,并横过该 副核心部而延伸之。 9.如申请专利范围第7项之中间基板,其中一第一配 线层叠部覆盖该副核心部的该第一主表面的外周 缘部,该第一叠层配线部包括至少一由高分子材料 所制成的电介质层及至少一导体层交互层叠在一 起,该导体层包括一面导体作为配线或接地用或作 为电源用与该核心本体部的第一主表面连接,该第 一侧信号端子在该第一配线叠层的表面上露出而 设置;及 该第一配线叠层部包括一第一侧信号用配线及该 第一侧信号用配线之一端子末端,该第一侧信号用 配线系用于提供一信号传送路径在该副核心部之 外侧及可导电地连接至该第一侧信号端子,该第一 侧信号用配线之端子末端自该副核心部延伸出及 连接至一横向于该核心本体部而延伸的信号用贯 通孔导体。 10.如申请专利范围第1项之中间基板,其中该副核 心部遮盖一面积等于由该第一端子阵列所遮盖的 一对应面积。 11.如申请专利范围第1项之中间基板,其中该副核 心部包括一由陶瓷所制成之陶瓷副核心。 12.如申请专利范围第11项之中间基板,其中该陶瓷 副核心部包括氧化铝(alumina)或玻璃陶瓷之一种。 图式简单说明: 第1图是显示本发明之中间基板的使用形态一例之 侧面模式图。 第2图是显示第1图之中间基板的第一端子阵列之 配置形态一例的平面图。 第3图是显示本发明之中间基板的第一实施形态之 剖面模式图。 第4图是显示同样第二实施形态之剖面模式图。 第5图是显示同样第三实施形态之剖面模式图。 第6图是显示同样第四实施形态之剖面模式图。 第7图是显示同样第五实施形态之剖面模式图。 第8图是显示同样第六实施形态之剖面模式图。 第9图是显示本发明之中间基板的第七实施形态之 剖面模式图。 第10图是显示本发明之中间基板的第八实施形态 之剖面模式图。 第11图是显示本发明之中间基板的第九实施形态 之剖面模式图。
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