| 主权项 |
1.一种制造半导体装置之方法,该方法包括以下步 骤: (a)在一半导体基板上形成一锗化矽磊晶层,一第一 矽磊晶层,及一绝缘膜; (b)蚀刻该绝缘膜,该第一矽磊晶层,及该锗化矽磊 晶层之一预设区域以曝露该半导体基板,其中该预 设区域包括一储存节点接触区域,及与其相邻之闸 极区域之一部分; (c)移除该绝缘膜; (d)在包括该曝露半导体基板之整个表面上形成一 第二矽磊晶层; (e)蚀刻该第二矽磊晶层,该第一矽磊晶层,该锗化 矽磊晶层,及该半导体基板之一预设厚度以形成一 渠沟以界定一主动区域; (f)经由该渠沟之一侧壁将该锗化矽磊晶层移除以 形成一位于该第一矽磊晶层下方之空间; (g)形成一填隙绝缘膜以至少填满该空间及该渠沟; (h)在该第二矽磊晶层上形成一闸极氧化膜;及 (i)在该整个表面上沈积及图案化一闸极传导层及 一硬光罩层俾在该闸极区域中形成一闸极。 2.如请求项1之方法,其中该步骤(b)包括: 在该半导体基板之整个表面上形成一光阻膜; 藉由曝露及显影该光阻膜而形成一曝露该预设区 域之光阻膜图案,其中该预设区域之部分闸极区域 具有一线宽M;及 使用该光阻膜图案作一蚀刻光罩以蚀刻该绝缘膜, 该矽磊晶层,及该锗化矽磊晶层。 3.如请求项2之方法,其中M范围自1/3F至F,其中F系一 闸极线宽。 4.如请求项1之方法,其中该绝缘膜包括一氧化膜。 5.如请求项1之方法,其中该绝缘膜包括一氧化膜及 一氮化膜之一堆叠结构。 6.如请求项1之方法,其中藉由一湿蚀刻法而执行该 步骤(e)中该绝缘膜之移除制程。 7.如请求项1之方法,其中该第二矽磊晶层之一厚度 范围自10至100 nm。 8.如请求项1之方法,其中藉由一方法而执行该步骤 (f)中该锗化矽磊晶层之移除制程,该方法选自由一 利用含HF,H2O2,及CH3COOH之混合蚀刻剂之湿蚀刻法,一 利用含(CF4或CH2F2),N2,及O2之混合气体之电浆蚀刻法 ,及其组合组成之群。 9.如请求项8之方法,其中该混合蚀刻剂中HF,H2O2,及 CH3COOH之一体积比系1:2:3。 10.如请求项1之方法,其中该步骤(g)包括: 形成一填满该空间之热氧化膜;及 形成用于一装置隔离膜之氧化膜以填满该渠沟。 11.如请求项10之方法,尚包括在该热氧化膜与用于 该装置隔离膜之氧化膜之介面形成一氮化膜。 12.如请求项1之方法,其中该步骤(g)包括: 形成一热氧化膜以填满该空间之一部分; 形成一氮化膜以填满该空间之一剩余部分;及 形成用于该装置隔离膜之氧化膜以填满该渠沟。 图式简单说明: 图1的布局绘示制造半导体装置的习知方法。 图2a至2f是剖面图绘示制造半导体装置的习知方法 。 图3的布局绘示根据本发明一较佳实施例制造半导 体装置的方法。 图4a至4f及图5是剖面图绘示根据本发明一较佳实 施例制造半导体装置的方法。 |
