| 主权项 |
1.一种半导体装置,其包含: 于基材上配置有复数个配线之配线基板、以及 搭载于上述配线基板之半导体元件,其特征在于, 金属离子结合剂混合于连接至上述配线之构件之 材料,或者添加于上述配线表面。 2.如请求项1之半导体装置,其中进而于上述配线基 板与上述半导体元件之间,具有以至少一部分与上 述配线连接之方式而配置的密封树脂, 上述密封树脂含有金属离子结合剂。 3.如请求项2之半导体装置,其中于上述密封树脂填 充于上述配线基板与上述半导体元件之间时,黏度 为50 mPas以上1250 mPas以下。 4.如请求项2之半导体装置,其中上述密封树脂含有 上述金属离子结合剂0.5重量%以上10.0重量%以下。 5.如请求项1之半导体装置,其中上述配线形成于上 述基材表面, 上述基材含有金属离子结合剂。 6.如请求项1之半导体装置,其中进而以覆盖上述配 线表面之方式形成有阻焊剂, 上述阻焊剂含有金属离子结合剂。 7.如请求项1之半导体装置,其中上述金属离子结合 剂含有选自苯并三唑类、三类、以及该等之三 聚异氰酸加成物中之至少一种化合物。 8.如请求项1之半导体装置,其中上述基板为薄膜状 之可挠性基板。 9.如请求项8之半导体装置,其中上述半导体元件藉 由带式承载方式搭载于上述配线基板。 10.如请求项1之半导体装置,其中搭载有液晶显示 元件。 11.如请求项1之半导体装置,其中上述金属离子结 合剂具有与自上述配线流出之金属离子形成错合 物的性质。 图式简单说明: 图1(a)系表示本发明实施方式之半导体装置之俯视 图。 图1(b)系表示于半导体之制造步骤中,图1(a)之半导 体装置安装于带式承载状态之图。 图2系表示图1(a)之半导体装置之A-A'剖面之剖面图 。 图3系表示图1(a)之半导体装置之B-B'剖面之剖面图 。 图4系表示产生迁移之半导体装置之俯视图。 图5(a)系表示为测定密封树脂之迁移抑制效果之梳 齿配线基板的整体的俯视图。 图5(b)系于图5(a)中之A区放大图。 图6系表示当图5(a)以及图5(b)之梳齿配线产生迁移 之情形时的俯视图。 图7系表示含有金属离子结合剂之密封树脂之抑制 迁移效果的图。 图8系表示于半导体装置中填充有黏度高之密封树 脂时含有气泡之密封树脂之剖面图。 图9系先前之半导体装置之剖面图。 |
