| 主权项 |
1.一种光学微距校正(OPC)方法,包括: 侦测第一元件图案之一端点,该端点接近第二元件 图案之一端点; 将朝向第一方向之第一OPC图案加到该第一元件图 案上;以及 将朝向第二方向之第二OPC图案加到该第二元件图 案上,且该第二方向大体上与该第一方向相反。 2.如申请专利范围第1项所述之光学微距校正(OPC) 方法,其中该第一与第二方向彼此相反。 3.如申请专利范围第1项所述之光学微距校正(OPC) 方法,其中该第一与第二OPC图案相同。 4.如申请专利范围第1项所述之光学微距校正(OPC) 方法,其中该第一与第二元件图案大体上线性对齐 。 5.如申请专利范围第1项所述之光学微距校正(OPC) 方法,其中该第一与第二元件图案大体上彼此平行 。 6.如申请专利范围第5项所述之光学微距校正(OPC) 方法,其中该第一与第二元件图案间之端点至端点 间隙小于100 nm。 7.如申请专利范围第1项所述之光学微距校正(OPC) 方法,其中该第一与第二元件图案间一线至线间隙 大于一预定设计规则(design rule)。 8.一种光学微距校正(OPC)方法,包括: 侦测第一群元件图案之第一端点,该端点接近第二 群元件图案之第一端点,且其间存在一预定的端点 至端点间隙; 将朝向第一方向之第一OPC图案加到该第一群元件 图案的第一端点上;以及 将朝向第二方向之第二OPC图案加到该第二群元件 图案的第一端点上,且该第二方向大体上与该第一 方向相反。 9.如申请专利范围第8项所述之光学微距校正(OPC) 方法,其中该第一与第二方向彼此相反。 10.如申请专利范围第8项所述之光学微距校正(OPC) 方法,其中该第一与第二OPC图案相同。 11.如申请专利范围第8项所述之光学微距校正(OPC) 方法,其中该第一与第二元件图案大体上线性对齐 。 12.如申请专利范围第8项所述之光学微距校正(OPC) 方法,其中该第一群元件图案大体上彼此平行,且 该第二群元件图案大体上彼此平行。 13.如申请专利范围第8项所述之光学微距校正(OPC) 方法,其中该第一与第二群元件图案间之端点至端 点间隙小于100 nm。 14.如申请专利范围第8项所述之光学微距校正(OPC) 方法,其中该元件图案间一线至线间隙大于一预定 设计规则(design rule)。 15.一种光学微距校正(OPC)方法,包括: 侦测第一元件图案之一端点,该端点接近第二以及 第三元件图案之端点; 将第一OPC图案加到该第一元件图案之端点上; 将第二OPC图案加到该第二元件图案之端点上;以及 将第三OPC图案加到该第三元件图案之端点上,其中 该第一OPC图案的一突出部分指向一方向,该方向与 该第二与第三OPC图案的突出部分所指的方向相反, 使任何两元件图案间一端点至端点间隙可被最小 化。 16.如申请专利范围第15项所述之光学微距校正(OPC) 方法,其中该第一元件图案的突出部分指向一方向 ,该方向与任一该第二或第三元件图案的突出部分 所指的方向相反。 17.如申请专利范围第15项所述之光学微距校正(OPC) 方法,其中该第一、第二与第三OPC图案相同。 18.如申请专利范围第15项所述之光学微距校正(OPC) 方法,其中该第一与第二元件图案大体上线性对齐 ,且该第三元件图案与该第一与第二元件图案平行 。 19.如申请专利范围第18项所述之光学微距校正(OPC) 方法,其中该第一元件图案的突出部分指向一方向 ,该方向与该第二与第三元件图案两者所指的方向 相反。 20.如申请专利范围第18项所述之光学微距校正(OPC) 方法,其中该第一元件图案的突出部分指向一方向 ,该方向与该第二的突出部分相反,且与该第三元 件图案的突出部分方向相同。 21.如申请专利范围第18项所述之光学微距校正(OPC) 方法,其中该第一与第二元件图案间之端点至端点 间隙小于100 nm。 图式简单说明: 第1A-1C图说明一般如何在半导体制造操作中解决 罩幕图案线结构之线端扭曲/偏移。 第2A-2D图说明在罩幕图案线结构上使用本揭露之 不对称OPC结构,以校正线端扭曲/偏移。 |
