| 主权项 |
1.一种于含有用于产生电激发光的异质结构的有 机发光装置中之发光层,其包含至少一种主体材料 及存在于该主体材料中作为掺杂剂之发光分子,其 中该发光分子系选自带有四配位体的金属错合物, 该四配位体含有至少一个啶或经取代啶基。 2.如申请专利范围第1项之发光层,其中该发光分子 系选自带有四配位体ONNO-型配体的金属错合物,其 中NN为2,2'-联啶或经取代之2,2'-联啶或1,10-绕 菲或经取代之1,10-绕菲。 3.如申请专利范围第1项之发光层,其中该金属错合 物之金属系选自第10族金属。 4.如申请专利范围第1项之发光层,其中该发光分子 可具有式I和式II所示之化学结构: 其中M代表第10族金属(包括铂),及R1-R14各独立选自 氢、卤素、烷基、经取代烷基、芳基、经取代芳 基所成之组群,该取代基系选自卤素、低碳烷基以 及辨识之供体和受体基团。 5.如申请专利范围第4项之发光层,其中该发光分子 在该主体材料中系存在低浓度作为掺杂剂,包括以 主体材料重量计之0.3至2.0重量%。 6.如申请专利范围第4项之发光层,系产生黄色电激 发光。 7.一种转变由包括如申请专利范围第5项之发光层 之有机发光装置所发射之颜色(CIE座标)之方法。 8.如申请专利范围第4项之发光层,其中该主体材料 为双(2-(2'-羟基苯基)啶铍(Bepp2)。 9.如申请专利范围第4项之发光层,其中该主体材料 及该发光分子可藉由昇华或真空沈积或汽相沉积 或旋转涂布或其他方法予以沈积成薄层。 10.一种发光分子,系以如申请专利范围第4项之发 光层之式I所示,其中该R1-R5、R7-R8及R10-R14基为质子 原子,R6及R9基为第三丁基,且M为铂,亦即 11.一种发光分子,系以如申请专利范围第4项之发 光层之式II所示,其中R1-R5、R7-R8及R10-R14基为质子 原子,R6及R9基为苯基,且M为铂,亦即 。 图式简单说明: 图1错合物1b及2b在CH2Cl2中的吸收光谱 图2错合物1b在CH2Cl2中和作成薄膜时在298K下的发射 光谱 图3错合物2b在CH2Cl2中和作成薄膜时在298K下的发射 光谱 图4在氮气和空气下错合物1b和2b的TGA温度记录图 图5本发明的OLED示意图 图6含错合物1b(掺入量0.3 wt%)的装置A的电激发光光 谱、电流密度-电压-亮度曲线 图7含错合物1b(掺入量1.0 wt%)的装置B的电激发光光 谱、电流-电压-亮度曲线 图8含错合物1b(掺入量2.0 wt%)的装置C的电激发光光 谱 |
