Halbleiterbauelement mit dielektrischer Schichtfolge und Herstellungsverfahren,申请号DE200410045773-传众专利搜索

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发明名称	Halbleiterbauelement mit dielektrischer Schichtfolge und Herstellungsverfahren
摘要
申请公布号	DE102004045773(B4)	申请公布日期	2006.11.30
申请号	DE200410045773	申请日期	2004.09.15
申请人	SAMSUNG ELECTRONICS CO. LTD.	发明人	JEON, HEE-SEOG;YOON, SEUNG-BEOM;KIM, YONG-TAE
分类号	H01L21/8247;H01L27/115;H01L21/28;H01L21/336;H01L21/8234;H01L21/8246;H01L29/423;H01L29/788;H01L29/792	主分类号	H01L21/8247
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