发明名称 页缓冲器电路、快闪存储器器件及其编程操作方法
摘要 本发明涉及一种尺寸缩小的页缓冲器电路、一种具有页缓冲器电路的快闪存储器器件及其编程操作方法。根据本发明,即使在没有数据比较电路的情况下,页缓冲器电路也能够使用数据检验电路来执行多级元件(MLC)的编程操作。因此,能够减少占用面积,并且也能够缩小快闪存储器器件的尺寸。
申请公布号 CN1870176A 申请公布日期 2006.11.29
申请号 CN200510136253.2 申请日期 2005.12.23
申请人 海力士半导体有限公司 发明人 元嘇规;成镇溶
分类号 G11C16/02(2006.01);G11C16/06(2006.01);G11C16/10(2006.01);G11C7/00(2006.01);G11C7/10(2006.01) 主分类号 G11C16/02(2006.01)
代理机构 北京市柳沈律师事务所 代理人 黄小临;王志森
主权项 1.一种快闪存储器器件的页缓冲器电路,所述快闪存储器器件具有与至少一对位线相连的多级元件(MLC),所述页缓冲器电路包括:高位寄存器,被配置为至少进行下列操作之一:响应于第一读取控制信号,感测感测节点的电压、存储高位感测数据和输出反相的高位感测数据、存储输入数据和输出反相的输入数据;低位寄存器,被配置为至少执行下列操作之一:响应于第二读取控制信号,感测感测节点的电压、存储第一低位感测数据和输出反相的第一低位感测数据,并响应于第三读取控制信号,感测感测节点的电压、存储第二低位感测数据和输出反相的第二低位感测数据;高位检验电路,被配置为接收反相的高位感测数据和反相的输入数据之一,并根据接收到的数据输出高位检验数据;以及低位检验电路,被配置为接收第一低位感测数据或反相的第二低位感测数据,并根据接收到的数据输出低位检验数据。
地址 韩国京畿道