| 发明名称 | 陶瓷积层式晶片元件的陶瓷釉被覆结构和制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种晶片元件的陶瓷釉被覆结构及其制造方法，其主要特征在于：晶片元件的陶瓷釉被覆结构，于元件本体完整覆盖致密性高，光滑(smooth)且高阻抗的陶瓷釉(glaze)；而端电极部位是利用端电极材料，也就是银胶(silverpaste)，与陶瓷釉之间独特的烧附特性，利用烧结而吸收去除端电极表面、端电极与陶瓷本体之间的陶瓷釉层，构成仅被覆着晶片元件本体的陶瓷釉被覆结构。 | ||
| 申请公布号 | CN1868972A | 申请公布日期 | 2006.11.29 |
| 申请号 | CN200510071161.0 | 申请日期 | 2005.05.23 |
| 申请人 | 佳邦科技股份有限公司 | 发明人 | 刘世宽;黄俊彬;徐钰钦 |
| 分类号 | C04B41/86(2006.01);C04B41/87(2006.01);C04B41/91(2006.01) | 主分类号 | C04B41/86(2006.01) |
| 代理机构 | 北京维澳专利代理有限公司 | 代理人 | 张应 |
| 主权项 | 1、一种陶瓷积层式晶片元件的陶瓷釉被覆结构，包括有一本体、设于本体内的多数个部份则从本体两侧端巷内延伸的内电极、位于本体两相对侧端，而与内电极相接的端电极，其特征在于：陶瓷积层式晶片元件的陶瓷釉被覆结构，以半导体性或不具有高绝缘电阻率特性的陶瓷材料为本体的陶瓷积层式单一晶片型与阵列晶片型电子元件中，于本体周面上被覆一层陶瓷釉材料。 | ||
| 地址 | 台湾省桃源市 | ||