| 发明名称 | 研磨液组合物 | ||
| 摘要 | 本发明提供，一种含有水系介质和研磨粒子的研磨液组合物，粒径在2～200nm范围的研磨粒子，其含量为50体积％以上，且研磨粒子中粒径在2nm以上且小于58nm的粒子，粒径在58nm以上且小于75nm的粒子，粒径在75nm至200nm的粒子分别占研磨粒子总量的40～75体积％，0～50体积％，10～60体积％；一种含有水系介质和研磨粒子的研磨液组合物，其中平均粒径为2～50nm的研磨粒子组A和平均粒径为52～200nm的研磨粒子组B的重量比A/B为0.5/1～4.5/1；使用该研磨液组合物的研磨方法、半导体基板的平坦化方法及半导体装置的制造方法。 | ||
| 申请公布号 | CN1286939C | 申请公布日期 | 2006.11.29 |
| 申请号 | CN03155318.4 | 申请日期 | 2003.08.27 |
| 申请人 | 花王株式会社 | 发明人 | 高階重昭;米田康洋;萩原敏也 |
| 分类号 | C09K3/14(2006.01) | 主分类号 | C09K3/14(2006.01) |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人 | 陈建全 |
| 主权项 | 1、一种含有水系介质和研磨粒子的研磨液组合物，其中，该研磨粒子中粒径为2～200nm的研磨粒子含量为50体积％以上，该研磨粒子中含有的粒径为2nm以上且小于58nm的小粒径研磨粒子为粒径2～200nm的研磨粒子总量的40～75体积％，含有的粒径为58nm以上且小于75nm的中粒径研磨粒子为粒径2～200nm的研磨粒子总量的0～50体积％，含有的粒径为75nm至200nm的大粒径研磨粒子为粒径2～200nm的研磨粒子总量的10～60体积％。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||