| 发明名称 | 掺杂碳和硅的铜互连 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种用于半导体器件中的互连结构以及该互连结构的形成方法。本发明的实施例包括掺杂碳和掺杂硅的互连，其具有避免在互连和钝化层之间形成硅化铜的浓度。一些实施例对于活化能和/或平均无故障时间，提供了意想不到的电迁移可靠性结果。 | ||
| 申请公布号 | CN1287441C | 申请公布日期 | 2006.11.29 |
| 申请号 | CN03800584.0 | 申请日期 | 2003.01.07 |
| 申请人 | 英特尔公司 | 发明人 | 斯蒂芬·钱伯斯;瓦莱丽·迪宾;安德鲁·奥特;克里斯蒂娜·华－里格 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01);H01L21/288(2006.01) | 主分类号 | H01L21/768(2006.01) |
| 代理机构 | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 肖善强;吴湘文 |
| 主权项 | 1.一种方法，包括：提供具有互连构件的衬底；在所述互连构件中形成掺杂碳的铜互连；以及在避免在掺杂碳的铜互连上形成硅化铜层的浓度对所述掺杂碳的铜互连掺杂硅。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||