发明名称 |
氮化镓单晶的生长方法,氮化镓单晶基板及其制造方法 |
摘要 |
提供一种制造10<SUP>6</SUP>cm<SUP>-2</SUP>以下低错位GaN单结晶的方法,其特征是气相成长的成长表面不是平面状态,形成具有三维的小面结构,保持小面结构,通过在不埋没小面结构下进行成长,可降低错位,进行单晶体氮化镓的结晶成长。 |
申请公布号 |
CN1870223A |
申请公布日期 |
2006.11.29 |
申请号 |
CN200610087785.6 |
申请日期 |
2000.09.26 |
申请人 |
住友电气工业株式会社 |
发明人 |
元木健作;冈久拓司;松本直树 |
分类号 |
H01L21/205(2006.01);H01L33/00(2006.01);C30B25/02(2006.01);C30B29/40(2006.01);C23C16/34(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/205(2006.01) |
代理机构 |
北京市柳沈律师事务所 |
代理人 |
封新琴;巫肖南 |
主权项 |
1.一种单晶GaN的晶体生长方法,当在底层基板上,根据气相生长,进行GaN厚层的晶体生长时,特征是,气相生长的生长表面不是平面状态,而是具有由三维的小面结构形成的凹坑,在不埋没具有小面结构的凹坑下进行生长,在晶体生长的同时,小面上的位错向凹坑小面的棱线移动,再进一步向棱线下方移动,在小面汇集的多重点的凹坑底部上汇集位错,在凹坑底部之下形成位错集合的线状缺陷,然后在由数个小面构成的凹坑底部的多重点上集合位错,在多重点之下,相对于平均的生长面,形成几乎垂直的线状缺陷集合部,将位错汇集线状缺陷中,以此降低线状缺陷以外区域的位错。 |
地址 |
日本大阪府 |