| 发明名称 | 一种旋转喷腐方法的化学挖槽工艺方法及装置 | ||
| 摘要 | 一种旋转喷腐方法的化学挖槽工艺方法及装置，在电力电子器件硅片表面进行选择性精密刻蚀加工制作中采用旋喷法进行加工。先将硅片置在底座上，加工时硅片是旋转的，酸液从硅片上部经喷嘴雾化后向下喷向硅片。具体制作方法是：采用旋转腐蚀法在硅片表面形成梳条的操作。先将置于下部的硅片作均速旋转，再通过压缩空气利用虹吸原理将酸性腐蚀液从酸液储罐中吸出，通过喷嘴使酸性腐蚀液雾化，并以一定的张角均匀地喷到硅片表面。在硅片加工过程中还设有水保护部分，分成底喷水保护和顶喷水保护。顶喷水设置成当喷酸刚停止时启动。底喷水设置成与当硅片旋转时同步供给，与顶喷水同时停止。每个工位一次加工一个硅片，一个工作周期中酸、水交替起作用。 | ||
| 申请公布号 | CN1869284A | 申请公布日期 | 2006.11.29 |
| 申请号 | CN200610031477.1 | 申请日期 | 2006.04.06 |
| 申请人 | 株洲南车时代电气股份有限公司 | 发明人 | 张明;李继鲁;戴小平;蒋谊;陈芳林 |
| 分类号 | C23F1/00(2006.01);C23F1/24(2006.01);H01L21/302(2006.01) | 主分类号 | C23F1/00(2006.01) |
| 代理机构 | 湖南兆弘专利事务所 | 代理人 | 赵洪 |
| 主权项 | 1、一种旋转喷腐方法的化学挖槽工艺方法，其特征在于：在电力电子器件硅片的表面进行选择性的精密刻蚀加工制作中采用旋喷法进行加工，先将硅片置在底座上，加工时硅片是旋转的，酸液从硅片上部经喷嘴雾化后向下喷向硅片。 | ||
| 地址 | 412007湖南省株洲市石峰区田心北门 | ||