树叶脉络形大功率氮化镓基发光二极管芯片的P、N电极

摘要

树叶脉络形大功率氮化镓基发光二极管芯片的P、N电极，涉及一种发光二极管芯片，尤其是涉及一种树叶脉络形大功率GaN基LED芯片的P、N电极。提供一种不仅能使芯片的电流较均匀地扩展，而且对散热和减小光线的全反射也有一定帮助的树叶脉络形大功率GaN基LED芯片的P、N电极。设有P电极和N电极，在GaN外延片的正面刻蚀出沟槽，将芯片分成至少2个小区域的集合，在P型GaN的表面生长一层透明导电层，在透明导电层上淀积P型电极，在沟槽内淀积N型电极，N型电极沿芯片对角线分布成树叶脉络的形状，P型电极环绕在芯片的边缘，并有触角伸出。可使大功率GaN基LED的电流在P、N电极之间更均匀地扩散，提高发光效率。

主权项

1.树叶脉络形大功率氮化镓基发光二极管芯片的P、N电极，其特征在于设有P电极和N电极，在GaN外延片的正面刻蚀出沟槽，将芯片分成至少2个小区域的集合，在P型GaN的表面生长一层透明导电层，在透明导电层上淀积P型电极，在沟槽内淀积N型电极，N型电极沿芯片对角线分布成树叶脉络的形状，P型电极环绕在芯片的边缘，并有触角伸出。