半导体器件及其制造方法

摘要

提供了一种能够采用硅锗作为pMOS源/漏扩展区、在源/漏上形成硅化物层、以及实现高速工作的半导体器件，包括经由绝缘体形成在半导体衬底的第一导电类型区域内的栅电极；形成在栅电极的侧面上的第一侧壁；形成在第一侧壁的侧面上的第二侧壁；形成在第二侧壁下方，包括第二导电类型的第一杂质层，且包含锗的半导体层；形成在第二侧壁外面的区域内，且包含浓度高于第一杂质层的第二导电类型的杂质的第二杂质层；以及形成在第二杂质层上的硅化物层。

主权项

1.一种半导体器件，此半导体器件包括：栅电极，此栅电极经由绝缘体形成在半导体衬底的第一导电类型区域内；第一侧壁，此第一侧壁形成在栅电极的侧面上；第二侧壁，此第二侧壁形成在第一侧壁的侧面上；半导体层，此半导体层形成在第二侧壁下方，包括第二导电类型的第一杂质层，且包含锗；第二杂质层，此第二杂质层形成在第二侧壁外面的区域内，且包含浓度高于第一杂质层的第二导电类型的杂质；以及硅化物层，此硅化物层形成在第二杂质层上。