Semiconductor device with epitaxial C49-titanium silicide (TiSi2) layer and method for fabricating the same,申请号GB20060020741-传众专利搜索

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发明名称	Semiconductor device with epitaxial C49-titanium silicide (TiSi2) layer and method for fabricating the same
摘要
申请公布号	GB0620741(D0)	申请公布日期	2006.11.29
申请号	GB20060020741	申请日期	2003.12.30
申请人	HYNIX SEMICONDUCTOR INC	发明人
分类号	H01L21/24	主分类号	H01L21/24
代理机构		代理人
主权项
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