| 发明名称 | 半导体结构和形成该半导体结构的方法 | ||
| 摘要 | 公开了一种具有形成FET沟道的纳米线的垂直FET结构。在导电的硅化物层之上形成纳米线。纳米线通过围绕的栅极而被栅极化。顶部和底部绝缘体插塞用作栅极间隔物并减小栅极－源极和栅极－漏极电容。 | ||
| 申请公布号 | CN1870294A | 申请公布日期 | 2006.11.29 |
| 申请号 | CN200610085035.5 | 申请日期 | 2006.05.22 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | 盖伊·M.·科恩;保罗·M.·所罗门 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01);H01L21/336(2006.01) | 主分类号 | H01L29/78(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 张浩 |
| 主权项 | 1.一种半导体结构，包括：位于半导体衬底的一部分上或之内的硅化物接触层；位于所述硅化物接触层上的多个纳米线；围绕所述多个纳米线的栅极电介质；位于所述栅极电介质上的栅极导体；和位于所述纳米线的每个端部的源极和漏极。 | ||
| 地址 | 美国纽约 | ||