| 发明名称 | 结型场效应晶体管及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种结型场效应晶体管，具备：第1导电型半导体层(11)；第2导电型半导体层(12)，其设置在第1导电型半导体层(11)上；元件形成区域，其设置在第2导电型半导体层(12)上；和护圈区域(19)，其包围元件形成区域。护圈区域(19)，具有绝缘分离层：其贯通第2导电型半导体层(12)、并到达第1导电型半导体层(11)的表面；且在绝缘分离层的侧面设置了第1导电型半导体层(11)。 | ||
| 申请公布号 | CN1870300A | 申请公布日期 | 2006.11.29 |
| 申请号 | CN200610081878.8 | 申请日期 | 2006.05.17 |
| 申请人 | 恩益禧电子股份有限公司 | 发明人 | 曾根努 |
| 分类号 | H01L29/80(2006.01);H01L21/337(2006.01) | 主分类号 | H01L29/80(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 李香兰 |
| 主权项 | 1、一种结型场效应晶体管，具备：第1导电型半导体层；第2导电型半导体层，其设置在所述第1导电型半导体层上；元件形成区域，其设置在所述第2导电型半导体层上；和护圈区域，其包围所述元件形成区域；所述护圈区域具有绝缘分离层，其贯通所述第2导电型半导体层，并到达所述第1导电型半导体层的表面；在所述绝缘分离层的侧面设置了第1导电型半导体层。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||