发明名称 |
采用不同频率的RF功率调制的高纵横比蚀刻 |
摘要 |
提供了一种用于通过掩模将高纵横比特征蚀刻到衬底上的层中的方法。将所述衬底放置在加工室中(404),该加工室能够提供第一频率、不同于第一频率的第二频率以及不同于第一频率和第二频率的第三频率。将蚀刻气体引入到所述加工室中(408)。提供了第一蚀刻步骤(412),其中,所述第一频率、第二频率和第三频率处在用于第一蚀刻步骤的功率设定值上。提供了第二蚀刻步骤(416),其中,所述第一频率、第二频率和第三频率处于不同的功率设定值。任选地,也可提供第三蚀刻步骤(420)。 |
申请公布号 |
CN1871695A |
申请公布日期 |
2006.11.29 |
申请号 |
CN200480030884.X |
申请日期 |
2004.08.06 |
申请人 |
兰姆研究有限公司 |
发明人 |
C·鲁苏;R·德汉斯;E·A·赫德森;M·斯里尼瓦桑;L·李;F·克维切 |
分类号 |
H01L21/311(2006.01);H01L21/467(2006.01);H05H1/46(2006.01);B23B3/10(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/311(2006.01) |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 |
代理人 |
杨凯;梁永 |
主权项 |
1.一种用于通过掩模在衬底上要蚀刻的层中蚀刻高纵横比特征的方法,包括:将所述衬底放置于加工室中,该加工室能够提供处于第一频率的、不同于所述第一频率的第二频率的和不同于所述第一和第二频率的第三频率的RF功率;将蚀刻气体引入到所述加工室;提供第一蚀刻步骤,其中,所述第一频率处于第一功率值,所述第二频率处于第二功率值,所述第三频率处于第三功率值,其中,所述第一功率值和第二与第三功率值中至少一个大于零,且所述第一蚀刻在要蚀刻的层中蚀刻所述特征至第一深度;以及提供第二蚀刻步骤,其中,所述第一频率处于第四功率值,所述第二频率处于第五功率值,所述第三频率处于第六功率值,其中,所述第四与第六功率值中至少一个大于零,且所述第五功率值大于零,其中,从所述第一功率值不等于所述第四功率值和所述第三功率值不等于所述第六功率值的组中选取某一条件,其中,所述第二蚀刻在要蚀刻的层中蚀刻所述特征至大于所述第一深度的第二深度。 |
地址 |
美国加利福尼亚州 |