| 发明名称 | 半导体装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 半导体装置具有有源区域和绝缘氧化膜，有源区域由生长在衬底11上的Ⅲ族氮化物半导体组成，绝缘氧化膜由在有源区域周围的Ⅲ族氮化物半导体氧化而成。在有源区域上形成栅电极、源电极和漏电极，栅电极与有源区域呈肖特基接触、延伸到绝缘氧化膜上，并在氧化绝缘膜上具有栅电极的引出部，源电极和漏电极是欧姆电极，设置在栅电极栅长方向的两侧并与栅电极有一定间隔。 | ||
| 申请公布号 | CN1287465C | 申请公布日期 | 2006.11.29 |
| 申请号 | CN01109857.0 | 申请日期 | 2001.03.21 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 西井胜则;井上薰;松野年伸;池田义人;正户宏幸 |
| 分类号 | H01L29/43(2006.01);H01L33/00(2006.01);H01L21/28(2006.01);H01S5/00(2006.01) | 主分类号 | H01L29/43(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 汪惠民 |
| 主权项 | 1.一种半导体装置，其特征在于：是在衬底上形成的具备有源区和绝缘氧化膜的半导体装置；有源区由生长在衬底上的III族氮化物半导体组成，绝缘氧化膜由所述的III族氮化物半导体氧化制成，形成在所述衬底上有源区域的周围部分上。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||