| 发明名称 | 一种硅铝合金封装材料及制备方法 | ||
| 摘要 | 一种硅铝合金封装材料及其制备方法，合金配方成分范围：Si为50～70wt％，Al为余量；Si以第二相颗粒形态存在，Si颗粒尺寸为3～8μm，第二相Si颗粒均匀地分布于铝合金基体中；第二相颗粒与铝合金基体一次形成。按合金成分配料，将原料熔化，浇铸成合金预制锭。在1600～1700℃将合金预制锭熔化，以惰性气体为雾化气体，进行快速凝固喷射成形制备，雾化压力为0.5～1.0MPa。该硅铝合金材料的合金成分均匀、显微组织均匀、组织细小。该材料经热等静压或热压致密化处理可实现完全致密化，这种材料可用普通刀具进行机加工切削成型，可进行表面涂装、钎焊。该材料可应用于航空航天、电子、计算机、通信等领域的微电子线路和微波线路的封装材料。 | ||
| 申请公布号 | CN1287449C | 申请公布日期 | 2006.11.29 |
| 申请号 | CN03119606.3 | 申请日期 | 2003.03.14 |
| 申请人 | 北京有色金属研究总院 | 发明人 | 张永安;熊柏青;张济山;石力开;刘红伟;朱宝宏 |
| 分类号 | H01L23/29(2006.01);C22C21/00(2006.01);C22C1/00(2006.01);B22F3/115(2006.01) | 主分类号 | H01L23/29(2006.01) |
| 代理机构 | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 | 代理人 | 程凤儒 |
| 主权项 | 1、一种硅铝合金封装材料，其特征在于合金配方成分范围如下，重量百分比：Si为50～70wt％，Al为余量；所述的合金热膨胀系数小于9×10-6/K、热传导率大于100W/m·K、密度小于2.6g/cm3；所述的合金中，Si以第二相颗粒形态存在，Si颗粒尺寸为3～8μm，第二相Si颗粒均匀地分布于铝合金基体中；第二相颗粒与铝合金基体一次形成。 | ||
| 地址 | 100088北京市新街口外大街2号 | ||