| 发明名称 | 一种合成甲基氯硅烷的组合方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种合成甲基氯硅烷的组合方法。它用有机硅单体(CH<SUB>3</SUB>)<SUB>2</SUB>SiCl<SUB>2</SUB>生产过程中产生的高沸物、低沸物或高沸物和低沸物的混合物为主要原料，与氯甲烷共同气化在搅拌床—固定床组合反应器中反应合成通式为(CH<SUB>3</SUB>)<SUB>m</SUB>SiCl<SUB>4-m</SUB>(m为1～3的正整数)的甲基氯硅烷单体；搅拌床反应器内装填铝粉，其装料系数为0.3～0.8，搅拌床反应温度为250～400℃，搅拌转速为60r/min～200r/min，搅拌床反应压力为0.1～1.0MPa；固定床反应器内填有固体路易斯酸催化剂，反应温度为250～400℃，反应压力为0.1～1.5MPa；氯甲烷与高沸物、低沸物或高沸物和低沸物的混合物的质量比为1～10∶1。利用本发明提供的方法能以较低成本生产甲基氯硅烷单体产物。 | ||
| 申请公布号 | CN1286842C | 申请公布日期 | 2006.11.29 |
| 申请号 | CN200410084421.3 | 申请日期 | 2004.11.17 |
| 申请人 | 浙江大学;浙江新安化工集团股份有限公司 | 发明人 | 范宏;邵月刚;谭军;李伯耿;任不凡;卜志扬;詹波;王雪飞 |
| 分类号 | C07F7/12(2006.01) | 主分类号 | C07F7/12(2006.01) |
| 代理机构 | 杭州求是专利事务所有限公司 | 代理人 | 张法高 |
| 主权项 | 1.一种合成甲基氯硅烷的组合方法，其特征在于，它是以有机硅单体(CH3)2SiCl2生产过程中产生的高沸物、低沸物或高沸物和低沸物的混合物为主要原料，与氯甲烷共同气化在搅拌床一固定床组合反应器中反应合成通式为(CH3)mSiCl4-m的甲基氯硅烷单体，其中，m为1～3的正整数；搅拌床反应器内装填铝粉，其装料系数为0.3～0.8，搅拌床反应温度为250～400℃，搅拌转速为60r/min～200r/min，搅拌床反应压力为0.1～1.0MPa；固定床反应器内填有固体路易斯酸催化剂，反应温度为250～400℃，反应压力为0.1～1.5MPa；氯甲烷与高沸物、低沸物或高沸物和低沸物的混合物的质量比为1～10∶1。 | ||
| 地址 | 310027浙江省杭州市西湖区浙大路38号 | ||