双栅高压P型金属氧化物半导体晶体管

摘要

双栅高压P型金属氧化物半导体管至少有1个器件单元，单元含N型衬底，衬底上有P型重掺杂埋层，埋层之上设P型外延层，外延层上设深P型漏连接层，漏连接层上方设P型源，P型外延层表面的非有元器件区上设场氧，外延层表面的有源器件区内设N阱，N阱内设P型源区，P型源区以外的有源器件区上方有多晶硅栅且在多晶硅栅与P型源区以外的有源器件区域之间设栅氧，场氧、多晶硅栅上方及多晶硅栅下方以外的有源器件区域上设氧化层，P型漏、源区上设铝引线，P型源区由P型源和N阱接触层组成，N阱接触层在P型源之间，P型外延层的有源器件区内且位于P型源区和N阱的侧旁有孔，孔内设纵向多晶硅栅，在纵向多晶硅栅与孔之间设纵向栅氧。

主权项

1.一种属于高压器件的双栅高压P型金属氧化物半导体晶体管，至少包括1个器件单元，该器件单元包括：N型衬底(1)，在N型衬底(1)上有P型重掺杂埋层(2)，在P型重掺杂埋层之上设有P型外延层(3)，P型外延层(3)上设有深P型漏区连接层(4)，在深P型漏区连接层(4)上方设有P型漏区(5)，在P型外延层(3)表面的非有元器件区域上设有场氧化层(6)，在P型外延层(3)表面的有源器件区域内设有N阱(7)，在N阱(7)内设有P型源区，在P型源区以外的有源器件区域上方设有多晶硅栅(8)且在多晶硅栅(8)与上述P型源区以外的有源器件区域之间设有栅氧化层(9)，在场氧化层(6)上方、多晶硅栅(8)上方及多晶硅栅(8)下方以外的其他有源器件区域(I)上设有氧化层(10)，在P型漏区(5)、P型源区上分别设有铝引线(11和12)，其特征在于P型源区由P型源(13和14)和N阱接触层(15)组成，N阱接触层(15)设在P型源(13和14)之间，在P型外延层(3)的有源器件区域内且位于P型源区和N阱(7)的侧旁设有孔(16)，在孔(16)内设有纵向多晶硅栅(17)，在纵向多晶硅栅(17)与孔(16)的内壁及孔底之间设有纵向栅氧化层(18)。