| 发明名称 | 一种闪存存储单元结构及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种闪存存储单元及其制备方法，属于非挥发性半导体存储器技术领域。与传统的闪存存储单元相比，本发明采用两层氮化硅作为浮栅，在横向和纵向上分别存储两位数据，实现了每个闪存存储单元能存储四位数据的功能，大大地增加了闪存的存储密度。在相同工艺条件下，存储密度是一般多晶硅浮栅闪存的4倍，是NROM闪存的2倍。而且其浮栅由靠近源区、漏区的两部分组成，并从物理上隔离开来，可以有效地抑制单元两端存储数据之间的串扰影响。本发明工艺简单，和传统CMOS工艺兼容，也没有增加光刻次数，从而降低了存储成本。 | ||
| 申请公布号 | CN1870297A | 申请公布日期 | 2006.11.29 |
| 申请号 | CN200610012185.3 | 申请日期 | 2006.06.09 |
| 申请人 | 北京大学 | 发明人 | 蔡一茂;黄如;单晓楠;周发龙;李炎;王阳元 |
| 分类号 | H01L29/788(2006.01);H01L27/115(2006.01);H01L21/336(2006.01);H01L21/8247(2006.01) | 主分类号 | H01L29/788(2006.01) |
| 代理机构 | 北京君尚知识产权代理事务所 | 代理人 | 贾晓玲 |
| 主权项 | 1、一种闪存存储单元，是由多晶硅控制栅、源区、漏区和存储电荷的浮栅组成，其特征在于：浮栅是由分别靠近源区、漏区的两部分构成，两部分浮栅被多晶硅控制栅隔离，每部分浮栅由可存储电荷的两层氮化硅组成，上、下氮化硅层之间设有隔离氧化层。 | ||
| 地址 | 100871北京市海淀区颐和园路5号 | ||