一种氮化镓基大管芯发光二极管及其制备方法

摘要

本发明涉及一种可解决P电极和N电极边缘间发光损失的氮化镓基大管芯发光二极管及其制备方法，通过金属有机物化学气相沉积生长技术，在异质材料或双抛面蓝宝石衬底上生长氮化镓基LED的多层材料结构，经过光刻、淀积、刻蚀、蒸发、剥离等步骤制备，其结构包括：淀积在氮化镓基基片上的至少一片状P电极和至少一条状N电极；条状N电极由N型压焊点压焊连接；淀积在P电极和N电极之间的绝缘介质层；以及蒸镀在绝缘介质层上的金属反射薄膜层；金属反射薄膜层可单独与P电极或N电极相连接，也可或与P电极、N电极均不相连接；可有效利用GaN基LED边缘处出射光，提高双抛面蓝宝石端的出光效率。

主权项

1、一种氮化镓基大管芯发光二极管，包括：一氮化镓基基片；淀积在所述氮化镓基基片上的至少一片状P电极和至少一条状N电极；其特征在于，所述条状N电极由N型压焊点压焊连接；还包括：淀积在所述P电极和N电极之间的绝缘介质层；以及蒸镀在所述绝缘介质层上的金属反射薄膜层，该金属反射薄膜层单独与P电极或N电极相连接，或与P电极、N电极均不相连接。