| 发明名称 | 基于纳米异质结构的非挥发性浮栅存储器 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种基于纳米晶粒的半导体非挥发性浮栅存储器，提出基于纳米异质结构的新型非挥发性浮栅存储器，一种基于纳米异质结构的非挥发性浮栅存储器，其包括：半导体衬底；在半导体衬底中掺杂形成源极和漏极，在源漏极间的沟道层正上方氧化形成隧穿氧化层；在隧穿氧化层上制备异质纳米结构；然后淀积控制氧化层和栅极；应用异质纳米结构的复合势垒作为浮栅存储单元。从而可以在编程时间基本不变的前提下，使存储时间显著增加，解决硅纳米晶粒浮栅存储器的编程时间与存储时间之间的矛盾，达到使纳米结构浮栅存储器既能快速擦写编程，又能长久存储。 | ||
| 申请公布号 | CN1870299A | 申请公布日期 | 2006.11.29 |
| 申请号 | CN200610085590.8 | 申请日期 | 2006.06.26 |
| 申请人 | 南京大学 | 发明人 | 施毅;闾锦;杨红官;张荣;濮林;韩平;顾书林;朱顺明;郑有炓 |
| 分类号 | H01L29/788(2006.01);H01L29/40(2006.01);H01L27/115(2006.01) | 主分类号 | H01L29/788(2006.01) |
| 代理机构 | 南京天翼专利代理有限责任公司 | 代理人 | 汤志武;王鹏翔 |
| 主权项 | 1.一种基于纳米异质结构的非挥发性浮栅存储器，其包括：半导体衬底；在半导体衬底中掺杂形成源极和漏极，在源漏极间的沟道层正上方氧化形成隧穿氧化层；在隧穿氧化层上制备异质纳米结构；然后淀积控制氧化层和栅极；其特征在于应用异质纳米结构的复合势垒作为浮栅存储单元。 | ||
| 地址 | 210093江苏省南京市汉口路22号 | ||