| 发明名称 | 用于改进临界尺寸计算中使用的光刻胶模型的校准的方法、程序产品以及设备 | ||
| 摘要 | 公开了临界尺寸(CD)计算中使用的光刻胶模型的改进的校准方法。基于用以在晶片上形成光刻胶的光学工具来得到剂量函数。该剂量函数指示光刻胶中的能量数量。将该剂量函数与卷积核进行卷积来得到改进的剂量函数。该卷积核在不同方向上具有可变的扩散长度。该卷积核可以包括多个高斯核，每个高斯核在不同方向上具有可变的扩散长度。将该改进的剂量函数转换成与目标值进行比较的CD值。如果有必要，则基于比较结果来调整该高斯核的扩散长度。 | ||
| 申请公布号 | CN1869818A | 申请公布日期 | 2006.11.29 |
| 申请号 | CN200610071189.9 | 申请日期 | 2006.01.28 |
| 申请人 | ASML蒙片工具有限公司 | 发明人 | J·F·陈;G·伯格;T·科斯昆;S·帕克;T·陈 |
| 分类号 | G03F7/20(2006.01);G06F17/00(2006.01);H01L21/027(2006.01) | 主分类号 | G03F7/20(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 张志醒 |
| 主权项 | 1.一种用于校准在临界尺寸(CD)计算当中使用的光刻胶模型的方法，包括以下步骤：基于用以在晶片上形成光刻胶的光学工具，得到指示所述光刻胶中能量数量的剂量函数；以及将所述剂量函数与卷积核进行卷积以得到改进的剂量函数，所述卷积核在不同方向上具有可变的扩散长度。 | ||
| 地址 | 荷兰维尔德霍芬 | ||