| 发明名称 | 逆转半导体探测器的性能退化的方法和设备 | ||
| 摘要 | 用于逆转半导体辐射探测元件(44)的退化的能量分辨率的系统，其中所述探测元件用于辐射探测器组件中。一装置(38)，识别和能量分辨率的初始水平相比呈现退化的能量分辨率的半导体元件。一装置(40)，通过施加反向偏压将退化的半导体元件恢复到能量分辨率的初始水平。加热器(74)通过使环境温度上升而加快该恢复过程。筛选装置(48)筛选新的半导体元件以识别容易退化的元件。由正向偏置装置(50)施加正向偏压以引起退化。加热器(52)提高环境温度以加速新半导体元件的性能退化。在安装到探测器内之前，对已识别的可能退化的元件进行反向偏置处理。 | ||
| 申请公布号 | CN1871527A | 申请公布日期 | 2006.11.29 |
| 申请号 | CN200480031132.5 | 申请日期 | 2004.10.06 |
| 申请人 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 发明人 | D·加农;J·J·格里斯默 |
| 分类号 | G01T1/24(2006.01) | 主分类号 | G01T1/24(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 张雪梅;张志醒 |
| 主权项 | 1.一种用于逆转半导体辐射探测元件(44)的退化的能量分辨率的系统，其中所述探测元件用在辐射探测器组件中，该系统包含：用于识别呈现和能量分辨率的初始水平相比退化的能量分辨率的半导体元件的装置(38)；以及用于将退化的半导体元件恢复到能量分辨率的初始水平的装置(40)。 | ||
| 地址 | 荷兰艾恩德霍芬 | ||