发明名称 |
射频开关电路和包括它的半导体器件 |
摘要 |
提供一种具有改进的输入/输出功率特性的射频开关电路。该电路包括:基本开关部分,每个基本开关部分包括串联连接的多个FET13a-13d、14a-14d、11a-11d或12a-12d。基本开关部分分别设置在输入/输出端子1和地之间、输入/输出端子3和地之间、输入端子1和2之间、以及输入端子2和3之间。该电路还包括多个电阻器43a-43d、44a-44d、41a-41d、42a-42d,每个电阻器的一端连接到相应FET的漏极上,另一端连接到相应FET的源极上。连接在一个FET的漏极和源极之间的电阻器具有较小的电阻值,其中所述一个FET是包含在处于截止状态下的基本开关部分中的FET当中较靠近输入信号的输入/输出端子的FET。 |
申请公布号 |
CN1870433A |
申请公布日期 |
2006.11.29 |
申请号 |
CN200610084840.6 |
申请日期 |
2006.05.23 |
申请人 |
松下电器产业株式会社 |
发明人 |
宫城雅;中塚忠良 |
分类号 |
H03K17/62(2006.01);H03K17/687(2006.01) |
主分类号 |
H03K17/62(2006.01) |
代理机构 |
永新专利商标代理有限公司 |
代理人 |
王英 |
主权项 |
1、一种用于控制射频信号流动的射频开关电路,包括:基本开关部分,其包括串联连接的多个场效应晶体管并设置在用于输入和输出射频信号的输入/输出端子和地之间;以及多个电阻器元件,每个电阻器元件的一端连接到所述多个场效应晶体管当中的相应场效应晶体管的漏极上,另一端连接到所述相应场效应晶体管的源极上;其中,在所述多个电阻器当中,连接在一个场效应晶体管的漏极和源极之间的电阻器的电阻值小于连接在其余每一个场效应晶体管的漏极和源极之间的电阻器的电阻值,其中所述一个场效应晶体管是在所述多个场效应晶体管当中连接到所述输入/输出端子的场效应晶体管。 |
地址 |
日本大阪府 |