发明名称 电光装置及具备该电光装置的电子设备
摘要 本发明提供一种电光装置及具备该电光装置的电子设备。能够抑制对被1H反转驱动的液晶装置等的电光装置所具备的保持电容施加周期性反转极性的电压而造成的耐压特性的下降。多层电介质构造(75)由于以HTO膜(75b)为中心,在其两侧形成有氮化硅膜(75c)和氮化硅膜(75a),所以具有以HTO膜(75b)为中心沿着图中上下方向对称的叠层构造。因此,在液晶装置(1)被1H反转驱动时,通过使下部电极(71)的电位极性相对被维持为固定电位的电容电极(300)而成为反极性,从而即使在多层电介质构造(75)中的电场方向反转时,也能够基于多层电介质膜构造(75)的结构对称性,将电流泄漏降低到不妨碍实际使用的水平。而且,通过使向多层电介质膜构造(75)施加的电场的方向时间性地反转,可抑制多层电介质膜构造(75)的耐压特性的劣化。
申请公布号 CN1870275A 申请公布日期 2006.11.29
申请号 CN200610084639.8 申请日期 2006.05.26
申请人 精工爱普生株式会社 发明人 山崎亮介
分类号 H01L27/12(2006.01);G02F1/136(2006.01) 主分类号 H01L27/12(2006.01)
代理机构 北京市中咨律师事务所 代理人 李峥;于静
主权项 1.一种电光装置,其特征在于,在基板上具有:以相互交叉的形式延伸的数据线和扫描线;由上述扫描线供给扫描信号的晶体管;由上述数据线通过上述晶体管供给图像信号的像素电极;和保持电容,其包括与上述晶体管和上述像素电极电连接的第1电极、与上述第1电极相对配置的第2电极、以及被配置在上述第1电极和上述第2电极之间的多层电介质膜构造;上述多层电介质膜构造包括:低电介质膜、第1高介电常数膜和第2高介电常数膜,该第1高介电常数膜和第2高介电常数膜从上述低电介质膜位置观察,以把上述低电介质膜夹在中间的方式分别形成在上述第1电极侧和上述第2电极侧,并且具有与上述低介电常数膜的介电常数相比相对高的介电常数。
地址 日本东京都