硅薄膜太阳电池集成组件的制备技术

摘要

本发明涉及一种硅薄膜太阳电池集成组件，它的结构和制备技术，特别是具有氧化锌(ZnO)背反射电极的硅薄膜太阳电池集成组件及其制备技术。而ZnO背反射电极是硅薄膜太阳电池陷光结构的重要组成部分，可大幅提高电池效率。它涉及硅薄膜太阳电池集成组件的关键工艺——子电池内联集成技术，属于新型能源中薄膜太阳电池的技术领域。本发明采用掩膜蒸镀金属电极，结合湿法腐蚀ZnO的方法，实现具有ZnO背反射电极的硅薄膜太阳电池子电池的内联集成技术，最终获得硅薄膜太阳电池集成组件。该方法简单、成品率高、成本低，有利展示硅薄膜太阳电池低成本的优势。是一个结构设计思想巧妙的制备技术。

主权项

1.一种硅薄膜太阳电池集成组件的制备技术，它包括下述工艺流程：(1)透明导电薄膜TCO基片切割：将带有SnO2、ZnO等透明导电薄膜的玻璃切割为适当尺寸的衬底；(2)TCO基片清洗：将切割好的TCO衬底，采用专用电子清洗液，清洗；(3)TCO基片前电极激光划线：采用YAG激光器，对切割好的TCO衬底，进行激光划线；(4)硅薄膜电池制备：采用等离子增强化学气相沉积RF-PECVD技术，沉积pin型硅薄膜电池；(5)制备氧化锌ZnO背电极：采用金属有机化学气相沉积或溅射方法，制备ZnO背电极；(6)硅薄膜电池激光划线：采用YAG激光器，对硅薄膜电池进行激光切割；其特征在于：(7)Ag、Al或其它金属及其复合背电极：采用掩模板下的真空蒸镀方式获得；(8)腐蚀ZnO：以蒸镀的金属电极为掩模，由水与酸混合形成的腐蚀液体，采用湿法腐蚀工艺，腐蚀蒸镀的金属电极间及以外的ZnO。