| 发明名称 | 制造硅单晶所用的晶种及制造硅单晶的方法 | ||
| 摘要 | 一种在通过Czochralski法制造硅单晶中所用的用于制造硅单晶的晶种，其特征在于作为可切割成硅晶种的基质的硅单晶内，硼的浓度不低于4×10<SUP>18</SUP>个原子/立方厘米且不超过4×10<SUP>19</SUP>个原子/立方厘米，且所述硅晶种自作为基质的硅单晶切割下来，研磨并精研，随后施以表面蚀刻。本发明还涉及一种利用该晶种制造硅单晶的方法。 | ||
| 申请公布号 | CN1287013C | 申请公布日期 | 2006.11.29 |
| 申请号 | CN02157530.4 | 申请日期 | 2002.12.19 |
| 申请人 | 硅电子股份公司 | 发明人 | 田中正博;岸田丰;玉木辉幸;加藤英生;竹林圣记 |
| 分类号 | C30B15/36(2006.01) | 主分类号 | C30B15/36(2006.01) |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人 | 过晓东 |
| 主权项 | 1.一种在通过Czochralski法制造硅单晶中所用的用于制造硅单晶的晶种，其中在作为可切割成硅晶种的基质的硅单晶内，硼的浓度不低于4×1018个原子/立方厘米且不超过4×1019个原子/立方厘米，且其特征在于至少接触硅熔化物的所述硅晶种部分具有无加工应变的表面。 | ||
| 地址 | 德国慕尼黑 | ||